[发明专利]一种AlGaAs外延层光照氧化方法有效
| 申请号： | 202010164122.X | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111029904B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李善文;李辉杰;颜虎 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 刘敦枫 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市武进*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algaas 外延 光照 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlGaAs外延层光照氧化方法，其特征在于，包括：
步骤S01：采用GaAs衬底生长AlGaAs外延层；
步骤S02：在所述AlGaAs外延层上生长透射外延层，所述透射外延层为采用单层可透射波长小于800nm的无Al外延层或采用不同折射率无Al外延层配对组成的透射DBR，刻蚀所述透射外延层和所述AlGaAs外延层形成沟道，在常温空气环境下，采用光照装置照射所述沟道；所述光照装置为采用波长涵盖红外至紫外光的发光器件，红外光部分用于催化氧化反应，紫外光部分用于氧分子分解为氧原子；
步骤S03：记录所述AlGaAs外延层由第一折射率变化为第二折射率的氧化时间，观测确认被氧化的区域的氧化宽度并计算氧化速率，通过所述光照装置照射所述沟道以加速其氧化。
2.根据权利要求1所述的AlGaAs外延层光照氧化方法，其特征在于，所述沟道贯穿于所述透射外延层和所述AlGaAs外延层，并与所述GaAs衬底接触。
3.根据权利要求1所述的AlGaAs外延层光照氧化方法，其特征在于，所述氧化速率的计算方式为：氧化速率=氧化宽度/氧化时间。
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