[发明专利]一种电流复用低噪声放大器

权利要求书

1.一种电流复用低噪声放大器，其特征在于，包括第一放大器、第二放大器和虚拟接地单元；

所述第一放大器的电源端与系统电源相连，所述第一放大器的接地端与所述第二放大器的电源端相连，所述第二放大器的接地端接地；

所述虚拟接地单元的一端分别与所述第一放大器的接地端和所述第二放大器的电源端相连，所述虚拟接地单元的另一端接地；

所述第一放大器和所述第二放大器复用偏置电流。

2.根据权利要求1所述的电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述第二放大器的信号输入端与所述电流复用低噪声放大器的信号输入端相连，所述第二放大器的信号输出端与所述第一放大器的信号输入端相连，所述第一放大器的信号输出端与所述电流复用低噪声放大器的信号输出端相连。

3.根据权利要求1所述的电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大器的信号输入端与所述电流复用低噪声放大器的第一信号输入端相连，所述第一放大器的信号输出端与所述电流复用低噪声放大器的第一信号输出端相连；所述第二放大器的信号输入端与所述电流复用低噪声放大器的第二信号输入端相连，所述第二放大器的信号输出端与所述电流复用低噪声放大器的第二信号输出端相连。

4.根据权利要求1所述的电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大器和所述第二放大器的信号输入端分别与所述电流复用低噪声放大器的信号输入端相连，所述第一放大器和所述第二放大器的信号输入端还分别与第一负载的一端相连，所述第一负载的另一端接地；所述第一放大器和所述第二放大器的信号输出端分别与所述电流复用低噪声放大器的信号输出端相连，所述第一放大器和所述第二放大器的信号输出端还分别与第二负载的一端相连，所述第二负载的另一端接地。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大器和所述第二放大器中的每个放大器包括输入匹配电路、多个偏置电路、反馈电路、负载电路、晶体管堆叠单元和输出匹配电路；

所述晶体管堆叠单元包括多个串联连接的晶体管，第一个所述晶体管的第一电极与所述反馈电路的一端相连，第一个所述晶体管的第二电极与第一个所述偏置电路相连，第一个所述晶体管的第三电极与第二个所述晶体管的第一电极相连，第二个所述晶体管的第二电极与第二个所述偏置电路相连，第二个所述晶体管的第三电极与第三个所述晶体管的第一电极相连，以此类推，最后一个所述晶体管的第二电极与最后一个所述偏置电路相连，最后一个所述晶体管的第三电极与所述负载电路的一端相连；

第一个所述晶体管的第二电极还与所述输入匹配电路的一端相连，最后一个所述晶体管的第三电极还与所述输出匹配电路的一端相连；

所述反馈电路的另一端与该放大器的接地端相连，所述负载电路的另一端与该放大器的电源端相连，所述输入匹配电路的另一端与该放大器的信号输入端相连，所述输出匹配电路的另一端与该放大器的信号输出端相连。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的电流复用低噪声放大器，其特征在于，所述虚拟接地单元包括多个并联连接的电容，多个所述电容的电容值不同。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的电流复用低噪声放大器，其特征在于，采用SOICMOS工艺来单片集成所述电流复用低噪声放大器。

8.一种电流复用低噪声放大器，其特征在于，包括多个放大器和多个虚拟接地单元；

第一个所述放大器的电源端与系统电源相连，第一个所述放大器的接地端与第二个所述放大器的电源端相连，第二个所述放大器的接地端与第三个所述放大器的电源端相连，以此类推，最后一个所述放大器的接地端接地；

第一个所述虚拟接地单元的一端分别与第一个所述放大器的接地端和第二个所述放大器的电源端相连，第二个所述虚拟接地单元的一端分别与第二个所述放大器的接地端和第三个所述放大器的电源端相连，以此类推，最后一个所述虚拟接地单元的一端分别与倒数第二个所述放大器的接地端和最后一个所述放大器的电源端相连，多个所述虚拟接地单元的另一端分别接地；

多个所述放大器复用偏置电流。