[发明专利]一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器

权利要求书

1.一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，包括：硅基底、位于硅基底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上包括硅窗口单元，所述硅窗口单元外周的二氧化硅层上配置一圈电极；还包括二硒化钯层，所述二硒化钯层覆盖于硅窗口单元表面；还包括石墨烯层，所述石墨烯层覆盖于已覆盖有二硒化钯层的硅窗口单元及其对应的电极所围成的区域表面；所述硅窗口单元对应的石墨烯层、二硒化钯层、硅基底形成石墨烯/二硒化钯/硅异质结，所述硅窗口单元对应的电极作为输出；从而形成石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器；

制备石墨烯/二硒化钯/硅异质结的过程为：利用转移胶带从块体二硒化钯材料反复撕扯，并将胶带上的二硒化钯微晶片粘贴于一干净二氧化硅/硅基片表面，随后利用PDMS，将二氧化硅/硅基片表面的二硒化钯逐一定位转移至硅窗口，将硅窗口完全覆盖，然后在覆盖二硒化钯的硅窗口单元及其对应的金属电极表面覆盖石墨烯。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，所述电极为铟/金合金电极，其中金电极层在铟电极层表面，金电极层厚度为50nm～150nm，铟电极层厚度为10nm～50nm。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，所述电极为银电极，厚度为60nm～200nm。

4.根据权利要求3所述的一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，所述硅窗口单元为半径为5um～15um的圆。

5.根据权利要求4所述的一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，所述硅窗口单元与其对应的电极之间的二氧化硅层宽度为15um～35um。

6.根据权利要求1或5所述的一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，所述二氧化硅层上包括硅窗口阵列，所述硅窗口阵列包括若干大小一致的硅窗口单元，且相邻硅窗口单元中心点之间的距离相等。

7.根据权利要求6所述的一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，其特征在于，所述相邻硅窗口单元中心点之间的距离为2mm。