[发明专利]半导体元件搭载用部件、引线框和半导体元件搭载用基板在审
申请号: | 202010164828.6 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111755407A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 菱木薰;大泷启一;佐佐木英彦;留冈浩太郎 | 申请(专利权)人: | 大口电材株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;李宏轩 |
地址: | 日本鹿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 搭载 部件 引线 用基板 | ||
1.一种半导体元件搭载用部件,其特征在于,在成为半导体元件搭载用部件的基材的金属板的上表面、侧面、下表面中的至少上表面或侧面,具备具有针状突起簇的粗糙化银镀层,同时具备覆盖该粗糙化银镀层中针状突起簇的表面的增强用镀层作为最表层镀层,
所述粗糙化银镀层具有在晶体取向001、111、101的各比率中晶体取向101的比率最高的晶体结构,
所述增强用镀层的表面沿袭所述粗糙化银镀层的针状突起簇而形成为具有相对于平滑面的表面积的表面积比为1.30以上6.00以下的针状突起簇的形状。
2.根据权利要求1所述的半导体元件搭载用部件,其特征在于,所述增强用镀层的厚度为0.4μm以上4.0μm以下。
3.根据权利要求1所述的半导体元件搭载用部件,其特征在于,所述粗糙化银镀层的平均晶体粒径小于0.28μm。
4.根据权利要求1所述的半导体元件搭载用部件,其特征在于,在成为所述半导体元件搭载用部件的基材的金属板与所述粗糙化银镀层之间,具备基底镀层。
5.一种引线框,其特征在于,在由铜系材料构成的引线框基材的上表面、侧面、下表面中的至少上表面或侧面,具备具有针状突起簇的粗糙化银镀层,同时具备覆盖该粗糙化银镀层中针状突起簇的表面的增强用镀层作为最表层镀层,
所述粗糙化银镀层具有在晶体取向001、111、101的各比率中晶体取向101的比率最高的晶体结构,
所述增强用镀层的表面沿袭所述粗糙化银镀层的针状突起簇而形成为具有相对于平滑面的表面积的表面积比为1.30以上6.00以下的针状突起簇的形状。
6.一种半导体元件搭载用基板,其特征在于,为通过在由铜系材料构成的金属板的上表面设置凹部而形成的、具有柱状端子部的半导体元件搭载用基板,
在所述柱状端子部的上表面具备具有针状突起簇的粗糙化银镀层,同时具备覆盖该粗糙化银镀层中针状突起簇的表面的增强用镀层作为最表层镀层,
所述粗糙化银镀层具有在晶体取向001、111、101的各比率中晶体取向101的比率最高的晶体结构,
所述增强用镀层的表面沿袭所述粗糙化银镀层的针状突起簇而形成为具有相对于平滑面的表面积的表面积比为1.30以上6.00以下的针状突起簇的形状。
7.一种半导体元件搭载用基板,其特征在于,为在金属板的一个面具备仅由镀层构成的柱状端子部的半导体元件搭载用基板,
所述柱状端子部具备具有针状突起簇的粗糙化银镀层,同时具备覆盖该粗糙化银镀层中针状突起簇的表面的增强用镀层作为最表层镀层,
所述粗糙化银镀层具有在晶体取向001、111、101的各比率中晶体取向101的比率最高的晶体结构,
所述增强用镀层的表面沿袭所述粗糙化银镀层的针状突起簇而形成为具有相对于平滑面的表面积的表面积比为1.30以上6.00以下的针状突起簇的形状。
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