[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

蚀刻一半导体鳍片以形成一第一凹槽，上述半导体鳍片定义上述第一凹槽的多个侧壁及一底部表面，上述半导体鳍片在一第一方向上延伸；

在上述第一凹槽中形成一源极/漏极区域，上述源极/漏极区域包括一单一连续材料，上述单一连续材料自上述第一凹槽的底部表面延伸至高于上述半导体鳍片的顶部表面，用于形成上述源极/漏极区域的一前驱物气体包括磷化氢，以及包括砷化氢或单甲基硅甲烷中的至少一者；以及

在相邻于上述源极/漏极区域的上述半导体鳍片上形成一栅极，上述栅极在垂直于上述第一方向的一第二方向上延伸。