[发明专利]一种基于硅基超材料的太赫兹波调制器

权利要求书

1.一种硅基超材料太赫兹波调制器，其特征在于，包括

硅基底层(2)

超材料结构层(1)，所述超材料结构层(1)生长在硅基底层(2)的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的一种硅基超材料太赫兹波调制器，其特征在于，所述调制器采用加载电压和激光照射激励信号的方式使调制效果产生。

3.一种硅基超材料太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、通过电磁仿真软件CST microwave studio仿真确定超材料结构参数；

S2、通过光刻在硅基上形成超材料结构图形；

S3、通过磁控溅射将金属铜溅射在光刻图形上，采用后湿法剥离多余光刻胶；

S4、基片电极处接线，即完成对硅基超材料太赫兹波调制器的制备。