[发明专利]一种正面切割背面减薄的生产方法

说明书

本发明公开一种正面切割背面减薄的生产方法，生产方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行先切割后减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本。

技术领域

本发明涉及晶粒的生产领域，具体是一种正面切割背面减薄的生产方法。

背景技术

晶圆是微电子器件最主要的原物料之一，晶圆是由硅半导体物质构成。在生产的过程中，晶圆上包含阵列分布的晶粒，通过切割的方式将获得单个的晶粒，传统的晶粒切割采用一次性切割的方法，在切割的过程中，薄晶圆在切割的过程中极易损坏晶粒，例如IGBT晶圆双面都有金属成分结构，影响晶粒的成品合格率，增加了晶粒的生产成本，现有技术中大都在切割前进行金属沉积工艺，切割的报废率较高，导致晶粒的生产成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种正面切割背面减薄的生产方法，通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行先切割后减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，有利于控制晶粒的生产成本，取代传统的切割前进行金属沉淀工艺，降低了生产成本。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种正面切割背面减薄的生产方法，生产方法包括以下步骤：

S1：正面切割

对晶圆进行切割。

S2：一次固定

采用粘合剂将晶圆切割的正面键合在玻璃载板上。

S3：减薄

对切割后的晶圆的背面进行减薄，形成晶粒。

S4：中间工艺

背面黄光，离子注入，在晶粒的背面形成离子注入层，光阻去除，退火工艺。

S5：粘合剂去除

采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒之间的粘合剂。

S6：金属沉积工艺

通过溅镀/蒸镀/化镀/电镀对减薄面进行金属沉积工艺。

S7:二次固定

将晶圆的减薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上设有UV型胶膜。

S8：脱离玻璃载板

采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆与玻璃载板上脱离，此时晶粒粘合在UV膜框(5)上。

S9：溶剂清洗

将粘合剂从晶粒上剥离。

进一步的，所述切割的方法为金刚石切割。

进一步的，所述切割的方法为激光切割。

进一步的，所述切割的方法为等离子切割。

进一步的，所述晶粒切割时从晶粒的正面进行切割，切割至1.05X~1.3X处，X为预计最后晶圆减薄完成后的厚度。

进一步的，所述一次固定的粘合剂通过UV键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。