[发明专利]一种晶粒间粘合剂的去除方法

说明书

本发明公开一种晶粒间粘合剂的去除方法，去除方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行正面切割背面减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本，在金属沉积工艺前去除晶粒之间的粘合剂，避免沉积后的金属使相邻的晶粒重新粘连。

技术领域

本发明涉及晶粒的生产领域，具体是一种晶粒间粘合剂的去除方法。

背景技术

一个超薄晶圆，一般厚度为20-250微米，用于MOSFET and IGBT的功率器件及3-D器件。目前是将晶圆与玻璃载板键合，利用玻璃载板，传送晶圆进行晶圆薄化，及背面黄光，离子注入，金属金属沉积等工艺，最后于晶粒UV膜框架上进行晶粒切割及后续测试和封装。传统的一次切割过程中，粘合剂不会进入晶粒之间，但是在正面切割背面较薄的过程中，晶圆的切割面通过粘合剂粘附在玻璃载板上，导致粘合剂进入晶粒之间的间隙内，如果不对晶粒之间的粘合剂进行清理会影响后续的晶粒的生产工序，例如晶粒从UV膜框上脱离时任然粘附在一起，减薄后进行金属沉积工艺，晶粒之间的金属会是晶粒重新粘连在一起。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶粒间粘合剂的去除方法，通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行正面切割背面减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，有利于控制晶粒的生产成本，在金属沉积工艺前去除晶粒之间的粘合剂，避免沉积后的金属使相邻的晶粒重新粘连。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种晶粒间粘合剂的去除方法，去除方法包括以下步骤：

S1：正面切割

对晶圆进行切割。

S2：一次固定

采用粘合剂将晶圆切割的正面键合在玻璃载板上。

S3：减薄

对切割后的背面进行减薄。

S4：中间工艺

背面黄光，离子注入,光阻去除，退火工艺。

S5：粘合剂去除

采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒之间的粘合剂，通过侧蚀刻在晶粒与玻璃载板之间的粘合剂上形成凹槽。

S6：金属沉积工艺

通过溅镀/蒸镀/化镀/电镀对晶粒的减薄面进行金属沉积工艺。

S7:二次固定

将减薄面固定在UV膜框上，UV膜框上设有UV型胶膜。

S8：脱离玻璃载板

采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆与玻璃载板上脱离，此时晶粒粘合在UV膜框上。

S9：溶剂清洗

清洗晶粒上残留的粘合剂。

进一步的，所述切割的方法为金刚石切割/激光切割/等离子切割。

进一步的，所述晶圆切割时从晶圆的正面进行切割，切割至X处,X为预计最后晶圆减薄完成后的厚度。

进一步的，所述减薄后相邻的晶粒之间完全分离。