[发明专利]固态存储器及其数据写入方法、装置

说明书

本发明涉及一种固态存储器及其数据写入方法、装置，固态存储器包括数据存储单元，数据存储单元包括缓存区域和闪存区域，方法包括：接收数据写入指令；在接收到数据写入指令后，按照预设写入码率将待写入热数据写入所述缓存区域，并对写入缓存区域的热数据进行持久化存储；判断缓存区域是否处于写满状态；如果是，则将缓存区域的热数据搬移至所述闪存区域。由于写入缓存区域的热数据被持久化存储，因而即使发生断电，缓存区域内的数据也不会发生流失，从而有效避免了采用传统数据写入方法时，存在的断电时发生部分数据流失，导致重要数据缺失的问题。

技术领域

本发明涉及存储设备技术领域，特别是涉及一种固态存储器及其数据写入方法、装置。

背景技术

目前，存储器主要分为两类：易失性存储器和非易失性存储器，其中易失性存储器在断电后，其内部数据信息会发生流失，例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)，主要用于做PC(Personal Computer，个人计算机)机内存、手机内存等；非易失性存储器在断电后，其内部数据信息仍然存在，主要是FLASH存储器，又称闪存，如NAND FLASH和NOR FLASH，其中NOR FLASH主要用于代码存储介质中，而NAND FLASH主要用于数据存储。

NAND FLASH作为目前闪存的主要产品，其基本存储单元(Cell)是由一种类NMOS(NMetal Oxide Semiconductor，N型金属氧化物半导体)的双层浮空栅MOS管组成，制造工艺主要有FG(Floating Gate，浮栅极)工艺和CTF(Charge Trap Flash，电荷撷取闪存)工艺。

在NAND FLASH中，数据是以位(bit)的方式保存在基本存储单元中，一个基本存储单元可以存储1个或多个bit数据，当存储1bit数据时，将其称为SLC(Single Level Cell，单层式存储单元)；存储2bit数据时，称为MLC(Multiple Level Cell，双层式存储单元)；存储3bit数据时，称为TLC(Triple Level Cell，三层式存储单元)。在这些存储单元中，SLC的使用寿命最长且数据写入速度更快、更稳定，但是价格昂贵，因此在NAND FLASH产品中，通常将TLC的部分区域切换为SLC作为高速缓存区域来达到数据写入加速的目的，从而提升整个存储器的性能。但是，由于目前的数据写入方法是在高速缓存区域被写满后才进行数据的搬移，因此即使高速缓存区域能够达到快速写入的目的，也避免不了在断电时发生部分数据的流失，导致重要数据缺失。

发明内容

基于此，有必要针对目前数据写入方法存在的断电时发生部分数据流失，导致重要数据缺失的问题，提供一种固态存储器及其数据写入方法、装置。

一种固态存储器的数据写入方法，固态存储器包括数据存储单元，数据存储单元包括缓存区域和闪存区域，方法包括：

接收数据写入指令；

在接收到数据写入指令后，按照预设写入码率将待写入热数据写入缓存区域，并对写入缓存区域的热数据进行持久化存储；

判断缓存区域是否处于写满状态；

如果是，则将缓存区域的热数据搬移至闪存区域。

在其中一个实施例中，判断缓存区域是否处于写满状态，包括：

判断缓存区域的剩余容量是否小于或等于预设阈值；

如果是，则判定缓存区域处于写满状态。

在其中一个实施例中，缓存区域由闪存区域转换获得，方法还包括：

按照预设规则确定缓存区域的容量；

根据确定的缓存区域的容量对闪存区域的部分区域进行模式转换以获得缓存区域。