[发明专利]基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器

权利要求书

1.一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，其特征在于，包括二阶基片集成波导圆形腔(3)，二阶基片集成波导圆形腔(3)由单个基片集成波导圆形腔(31)和单个基片集成波导圆形腔(32)中心对称，并由共面波导(7)相连得到；二阶基片集成波导圆形腔(3)包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿二阶基片集成波导圆形腔(3)的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔(4)，介质基片中心设有贯穿上金属层和下金属层的第一类金属扰动通孔(8)，介质基片四周预设位置添加两对贯穿上金属层和下金属层的第二类金属扰动通孔(9)和第三类金属扰动通孔(10)，二阶基片集成波导圆形腔(3)两侧分别通过基片集成波导圆形腔(31)左侧的共面波导(11)和基片集成波导圆形腔(32)右侧的共面波导(12)接有输入微带线(5)和输出微带线(6)；

所述第一类金属扰动通孔(8)位于基片集成波导圆形腔(31)的中心处；所述第二类金属扰动通孔(9)包括位于基片集成波导圆形腔(31)左侧的金属扰动通孔(91)和位于基片集成波导圆形腔(31)右侧的金属扰动通孔(92)，两金属扰动通孔沿基片集成波导圆形腔(31)的直径镜像对称，且位于基片集成波导圆形腔(31)左侧的共面波导(11)与腔体连接处共面波导(7)所在半径所形成夹角的内侧；所述第三类金属扰动通孔(10)包括位于基片集成波导圆形腔(31)上侧的金属扰动通孔(101)和位于基片集成波导圆形腔(31)下侧的金属扰动通孔(102)，两金属扰动通孔沿基片集成波导圆形腔(31)的圆心中心对称，且分别位于基片集成波导圆形腔(31)左侧的共面波导(11)与腔体连接处共面波导(7)所在半径所形成夹角的内外两侧；

所述二阶基片集成波导圆形腔(3)包括位于左侧的基片集成波导圆形腔(31)和位于右侧的基片集成波导圆形腔(32)，其中，位于左侧的基片集成波导圆形腔(31)左侧通过共面波导(11)连接有输入微带线(5)，位于右侧的基片集成波导圆形腔(32)右侧通过共面波导(12)连接有输出微带线(6)，且两微带线关于腔体连接处的共面波导(7)呈中心对称。

2.根据权利要求1所述的基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，其特征在于：所述位于左侧的基片集成波导圆形腔(31)内部的第一类金属扰动通孔(8)第二类金属扰动通孔(9)和第三类金属扰动通孔(10)以同样的方式分布在位于右侧的基片集成波导圆形腔(32)内部，且与位于左侧的基片集成波导圆形腔(31)内部的金属扰动通孔呈中心对称。

3.根据权利要求2所述的基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，其特征在于：所述输入微带线(5)和输出微带线(6)均为50欧姆。