[发明专利]用于半导体封装件的Cu表面上的多孔Cu

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

多个金属引线；以及

半导体管芯，所述半导体管芯通过互连附接到所述多个金属引线；

其中，所述多个金属引线的表面、所述半导体管芯的金属化表面、和/或所述互连的表面包括Cu，并且具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS(国际退火铜标准)范围内的电导率，

其中，包括Cu、并且具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率的一个或多个所述表面还包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个金属引线为引线框架的一部分，其中，所述互连包括焊接到所述多个引线的多个Cu柱，并且其中，所述多个金属引线的所述表面包括Cu，具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率，并且包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述多个Cu柱的所述表面具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率，并且包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连包括焊接到所述多个引线的多个Cu柱，并且其中，所述多个Cu柱的所述表面具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率，并且包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率并且包括微孔的所述多个Cu柱的所述表面为电镀表面，并且其中，所述Cu柱包括镍层，所述电镀表面形成在所述镍层上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括金属夹，所述金属夹在所述半导体管芯的背离所述多个引线的一侧处附接到所述半导体管芯的端子，其中，所述金属夹的表面包括Cu，具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率，并且包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体管芯的所述金属化表面附接到金属管芯垫，并且其中，所述半导体管芯的所述金属化表面包括Cu，具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率，并且包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，包括铜、具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率并且包括微孔的每个表面为Cu合金上的电镀表面。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，包括铜、具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率并且包括微孔的每个表面为包括Cu合金上的等离子沉积的Cu粉尘的表面。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，包括铜、具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率并且包括微孔的每个表面具有在1.5μm和20μm范围内的表面粗糙度。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括封装所述半导体管芯的模制化合物，其中，所述模制化合物与一些所述微孔接触。