[发明专利]功率因数校正电路及单相用电设备在审
申请号: | 202010166793.X | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111193392A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 徐宇晅;柳思远;雷诺凡;王成凯;吕奕霖 | 申请(专利权)人: | 儒竞艾默生环境优化技术(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 徐秋平 |
地址: | 200433 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率因数 校正 电路 单相 用电 设备 | ||
1.一种功率因数校正电路,其特征在于,包括:共模噪声滤波单元和整流器单元;
所述共模噪声滤波单元包括共模电感、第一电容和第二电容;所述共模电感的输入端与所述电网连接,输出端与所述整流器单元连接;所述第一电容连接于所述电网的火线端与大地之间;所述第二电容连接于所述电网的零线端与大地之间;所述整流器单元包括至少一个第一场效应管半桥组和一第二场效应管半桥组。
2.根据权利要求1所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述共模电感包括至少一个第一绕组和一第二绕组;所述第一绕组的数量与所述第一场效应管半桥组的数量相等;所述第一绕组的输入端与所述火线端连接,输出端与所述第一场效应管半桥组连接;所述第二绕组的输入端与所述零线端连接,输出端与所述第二场效应管半桥组连接。
3.根据权利要求2所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述第一绕组的电感量与所述第二绕组的电感量不同。
4.根据权利要求2所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述共模电感的计算方法包括以下步骤:
获取所述共模电感的初始差模电感量和初始共模阻抗;
基于所述初始差模电感量和所述初始共模阻抗,计算所述第一绕组与所述第二绕组的匝数差及磁芯的电感系数;
选择磁芯;
根据选择的所述磁芯的电感系数计算所述第一绕组和所述第二绕组的匝数,并进行匝数取整,以获取所述第一绕组和所述第二绕组的匝数;
根据获取的所述第一绕组和所述第二绕组的匝数计算出所述共模电感的差模电感量和共模阻抗。
5.根据权利要求2所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述第一场效应管半桥组的数量为三。
6.根据权利要求2所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述第一场效应管半桥组包括第一场效应管和第二场效应管;所述第一场效应管的漏极连接至电流输出端的母线正极,源极分别与所述第一绕组的输出端、所述第二场效应管的漏极连接;所述第二场效应管的源极与所述电流输出端的母线负极连接;
所述第二场效应管半桥组包括第三场效应管和第四场效应管;所述第三场效应管的漏极与所述母线正极连接,源极分别与所述第二绕组的输出端、所述第四场效应管的漏极连接;所述第四场效应管的源极与所述母线负极连接。
7.根据权利要求6所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管和所述第四场效应管均采用金属-氧化物半导体场效应管。
8.根据权利要求1所述的功率因数校正电路,其特征在于,还包括储能单元,所述储能单元与所述整流器单元连接。
9.根据权利要求8所述的功率因数校正电路,其特征在于,所述储能单元包括第三电容,所述第三电容与所述整流器单元连接。
10.一种单相用电设备,其特征在于,包括权利要求1至9中任一所述的功率因数校正电路。
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