[发明专利]一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法

说明书

本发明公开一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法，生产方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、一次减薄、中间工艺、二次减薄、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过切割、一次固定、一次减薄、中间工艺、二次减薄、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实实现对晶圆进行正面切割两次减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，取代传统的切割前完成背面黄光、离子注入、金属沉积工艺，有利于控制晶粒的生产成本。

技术领域

本发明涉及一种生产方法，具体是一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法。

背景技术

一个超薄晶圆，一般厚度为20-250微米，用于MOSFETandIGBT的功率器件及3-D器件。目前是将晶圆与玻璃载板键合，利用玻璃载板，传送晶圆进行晶圆薄化，及背面黄光，离子注入，金属沉积等工艺，最后于晶粒膜框架上进行晶粒切割及后续测试和封装,需在薄化晶圆背面，实行黄光，离子注入，金属沉积工艺，才进行晶片的切割晶粒工序，但是薄化到20微米-80微米的晶片，于切割晶粒时，由于薄晶片的翘曲性，加上晶片已完成金属沉积，以外力切割时，切割时变化的应力，易使晶片崩裂，晶粒无法重工而报废损毁,现有技术中大都在切割前完成背面黄光、离子注入、金属沉积工艺，切割时极易对晶粒造成损伤，增加了晶粒的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法，通过切割、一次固定、一次减薄、中间工艺、二次减薄、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行正面切割两次减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，取代传统的切割前完成背面黄光、离子注入、金属沉积工艺，有利于控制晶粒的生产成本。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法，生产方法包括以下步骤：

S1：正面切割

对晶圆进行切割。

S2：一次固定

采用粘合剂将晶圆切割的正面键合在玻璃载板上。

S3：一次减薄

对切割后的晶圆的背面进行一次减薄。

S4：中间工艺

背面黄光，离子注入。

S5：二次减薄

对切割后的晶圆的背面进行二次减薄。

S6：粘合剂去除

采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒之间的粘合剂。

S7：金属沉积工艺

通过溅镀或蒸镀或化镀或电镀对晶粒的减薄面进行金属沉积工艺。

S8:二次固定

将晶粒的减薄面固定在UV膜框上，UV膜框上设有UV型胶膜。

S9：脱离玻璃载板

采用镭射或热分解的方式进行解键合，将晶圆与玻璃载板脱离，此时晶粒粘合在UV膜框上。

S10：溶剂清洗

将粘合剂从晶粒上剥离。

进一步的，所述切割的方法为金刚石切割、激光切割、等离子切割中的一种。

进一步的，所述晶粒切割时从晶粒的正面进行切割，切割至X处，X为预计最后晶圆减薄完成后的厚度。