[发明专利]一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法

权利要求书

1.一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法，其特征在于：(1)适用的原料：其中M元素为Ti、Nb、V、Y、Nb、Mo、Ta 、W、Hf、Cr、Mn,A元素为Al 、Si 、Ge、 Sn、 Ga、 Sb,X元素为B、C、N、Si的三元层状, max相陶瓷或者MAB相陶瓷分别从上述的元素含量的max相陶瓷或者MAB相陶瓷选取一种球磨成的粉末作为反应的原料；

将步骤（1）的粉末在含有H₂S、H₂Se、H₂Te、单质S蒸汽、单质Se蒸汽、单质Te蒸汽的气体的氛围在按500到1400度的温度范围内到将max相陶瓷或者MAB相粉末在气氛中加热5小时以上,将所获得的粉末在惰性气体的保护下球磨后就可以获得风琴状的层状二维TMDC_S材料，

将步骤（2）所得的粉末在去氧水或者有机溶剂中经过5小时功率2kw的超声仪震荡可以获得少层或者单层的TMDC_S的分散液体；

将步骤（3）所得的液体在低温冻干机或者真空干燥机下处理3小时就可以得到单层或少层的TMDC_S 粉末；

步骤（2）（3）（4）可以获得风琴状、胶体、单层、少层的TMDC_S的材料。

2.根据权利要求1所述的一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法，其特征在于：原料粉为特定元素含量的MAX相陶瓷或者MAB相陶瓷，反应的气体为H₂S、H₂Se、H₂Te、单质S蒸汽、单质Se蒸汽、单质Te蒸汽。