[发明专利]一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备在审
申请号: | 202010167846.X | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN113393878A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 程振;李志雄;钟衍徽 | 申请(专利权)人: | 深圳市江波龙电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074;G11C11/4063 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 周心志 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区科发路8*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dram 电压 控制电路 内存条 电子设备 | ||
本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电压进行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。
技术领域
本申请的所公开实施例涉及电路技术领域,且更具体而言,涉及一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备。
背景技术
为了满足加快DRAM(动态随机存取存储器,Dynamic Random Access Memory)颗粒的运行频率或者在特定频率下增强其运行稳定性的需求,通常需要对DRAM颗粒内部进行升压。目前,对DRAM颗粒内部进行升压,一般在DRAM颗粒内部设计升压电路。
然而,在DRAM颗粒内设计升压电路需要在设计制造DRAM颗粒之时一起设计,不适用于大批量推广,成本高。并且,DRAM颗粒内已设计的升压电路之后,该DRAM颗粒在某个平台上可以正常工作,例如Intel平台,但在其他平台上不能正常工作,即该DRAM颗粒会出现挑主板的现象。
根据本申请的实施例,本申请提出一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备,以解决上述问题。
根据本申请的第一方面,公开一种实例性的DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电压进行调压。
在一些实施例中,所述调压包括升压、降压和稳压中的至少一个。
在一些实施例中,还包括:ADC电路,与所述单片机匹配且连接,并与所述内存条所连接的主板的接口连接。
在一些实施例中,所述单片机通过I2C总线与所述SPD芯片连接。
根据本申请的第二方面,公开一种实例性的内存条,包括PCB板以及设置于所述PCB板上的至少一个DRAM、SPD芯片和控制芯片,其中所述控制芯片包括:单片机,与所述SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电压进行调压。
在一些实施例中,所述调压包括升压、降压和稳压中的至少一个。
在一些实施例中,所述PCB板上还设置有内存接口,其中所述内存接口与主板上的接口连接;所述控制芯片还包括:ADC电路,与所述单片机匹配且连接,并与所述主板的接口连接。
在一些实施例中,所述单片机通过I2C总线与所述SPD芯片连接。
在一些实施例中,所述内存条为DIMM。
根据本申请的第二方面,公开一种实例性的电子设备,包括主板和设置于所述主板上且如第二方面所述的内存条。
本申请的有益效果有:通过相互连接的单片机和调压电路,实现对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。
附图说明
下面将结合附图及实施方式对本申请作进一步说明,附图中:
图1是本申请实施例的DRAM的电压控制电路的结构示意图。
图2是本申请实施例的内存条的结构示意图。
图3是本申请实施例的电子设备的简化结构示意图。
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