[发明专利]光子忆阻器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010168188.6 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111367132A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张启明;顾敏;陈希;栾海涛 | 申请（专利权）人： | 张启明;顾敏;陈希;栾海涛 |
| 主分类号： | G02F3/02 | 分类号： | G02F3/02 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 林彦之 |
| 地址： | 200093 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光子 忆阻器 及其 制造 方法 | ||
1.一种光子忆阻器，其特征在于，包括：
基板；
光双稳层，形成于所述基板上表面，所述光双稳层包括第一二维晶体材料单元和第二二维晶体材料单元，所述第一二维晶体材料单元具有第一还原态，所述第二二维晶体材料具有第二还原态，所述第一还原态不同于所述第二还原态。
2.根据权利要求1所述的光子忆阻器，其特征在于，所述第一还原态为部分还原态，所述第二还原态为完全还原态。
3.根据权利要求2所述的光子忆阻器，其特征在于，所述第二二维晶体材料单元形成于两个所述第一二维晶体材料单元之间。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光子忆阻器，其特征在于，所述基板采用硅、二氧化硅、硅酸钠或硅酸钙。
5.根据权利要求1-3任一项所述的光子忆阻器，其特征在于，所述基板的厚度在1um至1mm之间。
6.根据权利要求1-3任一项所述的光子忆阻器，其特征在于，所述第一二维晶体材料单元包含二维晶体材料和氧基团。
7.根据权利要求6所述的光子忆阻器，其特征在于，所述氧基团包括羟基、环氧基、羧基和羰基中的至少一种。
8.根据权利要求1-3任一项所述的光子忆阻器，其特征在于，所述光双稳层的厚度在3nm至100um之间。
9.根据权利要求1所述的光子忆阻器，其特征在于，所述第一二维晶体材料单元和/或第二二维晶体材料单元为纳米晶体材料。
10.根据权利要求9所述的光子忆阻器，其特征在于，所述第一二维晶体材料单元和/或第二二维晶体材料单元为半导体纳米晶体材料。
11.一种制造光子忆阻器的方法，其特征在于，包括：
在基板上形成氧化二维晶体材料层；
对所述氧化二维晶体材料层进行还原，形成具有第一还原态的第一二维晶体材料单元；
对所述第一二维晶体材料单元的部分区域进行还原，形成具有第二还原态的第二二维晶体材料单元；所述第一还原态不同于所述第二还原态；
所述第一二维晶体材料单元和所述第二二维晶体材料单元构成光双稳层。
12.根据权利要求11所述的制造光子忆阻器的方法，其特征在于，对所述氧化二维晶体材料层进行还原，形成具有第一还原态的第一二维晶体材料单元，包括：
采用激光或紫外线照射所述氧化二维晶体材料层进行部分还原，以形成第一二维晶体材料单元。
13.根据权利要求11所述的制造光子忆阻器的方法，其特征在于，对所述二维晶体材料单元的部分区域进行还原，形成具有第二还原态的第二二维晶体材料单元，包括：
采用激光照射、紫外线照射或掩膜的方式对所述第一二维晶体材料单元的部分区域进行完全还原，以形成所述第二二维晶体材料单元。
14.根据权利要求11所述的制造光子忆阻器的方法，其特征在于，所述第一二维晶体材料单元包含二维晶体材料和氧基团，所述氧基团包括羟基、环氧基、羧基和羰基中的至少一种。
15.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-10所述的光子忆阻器。
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