[发明专利]存储单元的数据读取方法在审

专利信息
申请号: 202010168359.5 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN113395465A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 赵立新;乔劲轩;黄诗剑 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378;H04N5/357;G11C11/417
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 存储 单元 数据 读取 方法
【权利要求书】:

1.一种存储单元的数据读取方法,其特征在于,所述存储单元在读取数据时,读取电路对位线充电与存储单元对位线放电进行并行操作,以提升数据读取性能。

2.根据权利要求1所述的存储单元的数据读取方法,其特征在于,通过设置读取电路充电能力与存储单元放电能力的比例,加大位线之间的目标电压差,以提升数据读取速度,提高数据读取能力。

3.根据权利要求1所述的存储单元的数据读取方法,其特征在于,在充电阶段,电源通过充电管给位线充电;在放电阶段,位线上有放电电流,两条位线上放电电流的大小取决于存储单元内存储的值;两条位线之间连接一平衡管。

4.根据权利要求3所述的存储单元的数据读取方法,其特征在于,所述平衡管在数据读取过程中处于常通状态。

5.根据权利要求4所述的存储单元的数据读取方法,其特征在于,在充电阶段平衡管加快充电速度,在放电阶段平衡管限制所述位线之间的目标电压差。

6.根据权利要求3所述的存储单元的数据读取方法,其特征在于,所述充电管为NMOS管,其充电速度与位线电压相关,位线电压较低时充电速度较快。

7.根据权利要求6所述的存储单元的数据读取方法,其特征在于,所述NMOS管在放电阶段限制所述位线的最低电压,以避免连续读取相同数据后所述位线被放电到更低电位。

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