[发明专利]一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层工艺在审
申请号: | 202010168376.9 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111348918A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 郑恩阳 | 申请(专利权)人: | 上海德宝密封件有限公司 |
主分类号: | C04B35/573 | 分类号: | C04B35/573 |
代理公司: | 北京卓唐知识产权代理有限公司 11541 | 代理人: | 崔金 |
地址: | 200444 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 石墨 损坏 氮化 涂层 工艺 | ||
本申请公开了一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层工艺,其特征在于,包括一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层配方,所述配方包括酚醛树脂、硬脂酸锌、硅粉和石油焦,其中石油焦的百分占比为5.12‑6.71%;还包括如下制备步骤:a、搅拌机内加入硬脂酸锌、硅粉,充分混合搅拌1小时;b、步骤a搅拌结束后,加入酚醛树脂、石油焦,充分混合搅拌1小时;c、步骤b搅拌后进行放料筛料工作;d、筛料结束后使用喷壶加入酒精均匀喷入;e、以上操作结束后再次进行混合搅拌过筛。采用本工艺,对制备原料进行合理设计配比,根据工艺制备步骤得到的产品,解决现有制备工艺中存在氮化硼原料价格高、后期碱处理同样耗费大量碱性原料而大大增加制备工艺的时间和成本的问题。
技术领域
本申请涉及反应烧结碳化硅技术领域,具体而言,涉及一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层工艺。
背景技术
石墨板为耐火、隔热、耐高温和防辐射材料,在冶炼工业中,用石墨制造石墨坩埚,或者。石墨板的制备采用反应烧结碳化硅,又称自结合碳化硅,是指多孔钢坯与气相或液相反应,提高钢坯质量,减少气孔,并以一定的强度和尺寸精度烧结成品的过程。将α-SiC粉末与石墨按一定比例混合,加热到1650℃左右,形成方坯。同时,它通过气相Si渗透或渗透到钢坯中,与石墨反应生成β-SiC,结合现有的α-SiC颗粒。碳化硅热压烧结和高温等静压烧结可以制备出密度较高的碳化硅陶瓷,烧结温度在1 50~2 10 0℃之间。
碳化硅反应烧结过程中需要硅粉制成硅片与碳化硅素坯高温烧结,硅片由硅粉与5-7%的氮化硼混合而成,氮化硼加入硅粉制成硅片参与反应烧结,目的是有利于反应烧结。而针对反应烧结碳化硅的现有技术,未改变硅片工艺时:存在如下技术问题:
1、碳化硅产品反应烧结后产生多余的游离硅较多;
2、产品与硅片高温烧结后产生粘连不易分离;
3、在不易分离的同时员工用塑料板敲硅片时易产生缺口;
4、产品上游离硅多,在碱处理炉里处理时间会加长时间,反而造成产品腐蚀;
5、由于产品烧制出炉后游离硅较多,同时在碱处理炉里处理时游离硅融化到处理炉内造成碱的浓度降低,每个工作日每台处理炉需要加3-5袋氢氧化钠;
6、硅片配方里有氮化硼一种原料,此原料每公斤165元,每批次100公斤硅粉加7公斤氮化硼。
而针对石墨板的制备工艺,采用成本高昂的氮化硼原料进行制备,价格高,后期碱处理同样耗费大量碱性原料,大大增加制备工艺的时间、成本
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层工艺,以解决现有制备工艺中存在氮化硼原料价格高、后期碱处理同样耗费大量碱性原料而大大增加制备工艺的时间和成本的问题。
为了实现上述目的,本申请提供了以下技术方案;
本申请技术中,为降低企业生产成本,降低碱处理氢氧化钠使用量、避免反应碳化硅产品烧制出炉后多余残硅溢出和易分离产品与烧结后的硅片,本发明针对反应烧结碳化硅制的备技术,采用一种石油焦原料来代替碳化硅反应烧结过程中需要的氮化硼原料,采用适合本配方的工艺进行制备产品,根据配方试样氮化硼使用石油焦代替,同时根据试样比例来调整硅片以及其余配料比例、改变来缩短碱处理处理时间,延长碱处理炉的寿命。具体来说:
一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层工艺,包括一种防止石墨板损坏的氮化硼涂层配方,所述配方包括酚醛树脂、硬脂酸锌、硅粉和石油焦,其中石油焦的百分占比为5.12-6.71%;还包括如下制备步骤:
a、搅拌机内加入硬脂酸锌、硅粉,充分混合搅拌1小时;
b、步骤a搅拌结束后,加入酚醛树脂、石油焦,充分混合搅拌1小时;
c、步骤b搅拌后进行放料筛料工作;
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