[发明专利]一种固态图像拾取装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固态图像拾取装置，其包括：半导体衬底、间隔件和盖玻璃；

所述盖玻璃通过所述间隔件黏附于所述半导体衬底的上表面上；

所述半导体衬底的上表面上设置有感测区和多个焊盘，所述焊盘围绕在所述感测区周围；且在所述半导体衬底的下表面设置有多个盲孔；所述多个盲孔与所述多个焊盘对应，所述多个盲孔的底部露出所述多个焊盘；

所述半导体衬底还包括原位掺杂第一半导体类型的第一掺杂区以及原位掺杂第二半导体类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区从所述盲孔的侧壁延伸至所述下表面，且所述第一掺杂区具有第一深度，所述第二掺杂区具有第二深度，其中，所述第一深度大于所述第二深度；

在所述盲孔的侧壁以及所述下表面上覆盖有应力缓冲层，所述应力缓冲层露出所述多个焊盘；在所述应力缓冲层上设置有布线层，所述布线层电连接所述多个焊盘；

在所述下表面形成有树脂密封层，所述树脂密封层填充所述多个盲孔且覆盖所述下表面，所述树脂密封层在所述下表面具有露出部分所述布线层的开口，多个凸块形成于所述开口中。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，其特征在于：所述应力缓冲层完全覆盖所述第二掺杂区，且与所述第二掺杂区直接接触。

3.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，其特征在于：所述布线层从所述盲孔底部沿着所述盲孔的侧壁延伸至所述下表面。

4.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，其特征在于：所述应力缓冲层为拉应力的氮化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，其特征在于：所述第一半导体类型为Al，所述第二半导体类型为P，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区为浅掺杂，其掺杂浓度为1E17-5E17 cm^-3。

6.一种固态图像拾取装置的制造方法，其包括：

（1）提供具有多个感测区和多个焊盘的半导体衬底，并将盖玻璃通过间隔件黏合到所述半导体衬底的上表面；

（2）在所述半导体衬底的下表面形成多个盲孔，所述多个盲孔与所述多个焊盘对应，且所述多个盲孔露出所述多个焊盘；

（3）对所述下表面进行第一半导体类型原位掺杂以在所述多个盲孔的侧壁以及所述下表面形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一深度；

（4）对所述下表面进行第二半导体类型原位掺杂以在所述多个盲孔的侧壁以及所述下表面形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二深度；其中，所述第一深度大于所述第二深度；

（5）在所述第二掺杂区上形成应力缓冲层，所述应力缓冲层露出所述多个焊盘；

（6）在所述应力缓冲层上形成布线层，所述布线层电连接所述多个焊盘；

（7）在所述下表面形成树脂密封层，所述树脂密封层填充所述多个盲孔且覆盖所述下表面，所述树脂密封层在所述下表面具有露出部分所述布线层的开口，并将多个凸块形成于所述开口中。

7.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置的制造方法，其特征在于：形成第一掺杂区和第二掺杂区的方法采用原位离子掺杂工艺。

8.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置的制造方法，其特征在于：所述应力缓冲层采用共沉积方法形成，其厚度大于所述第二掺杂区的外表面的粗糙度。

9.根据权利要求8所述的固态图像拾取装置的制造方法，其特征在于：所述应力缓冲层为拉应力的氮化硅或氮氧化硅。

10.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置的制造方法，其特征在于：所述第一半导体类型为Al，所述第二半导体类型为P，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区为浅掺杂，其掺杂浓度为1E17-5E17 cm^-3。