[发明专利]一种用于铝活塞喉口部位的重熔强化制备方法

权利要求书

1.一种用于铝活塞喉口部位的重熔强化制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

1)将预重熔的铝活塞毛坯的喉口部位进行机械加工，并留有加工余量；

2)将机械加工后的铝活塞毛坯的喉口部位采用清洗剂进行清洗；

3)将清洗后的铝活塞毛坯进行烘干；

4)在氩气保护下，将铝活塞毛坯的喉口部位进行重熔，重熔工艺参数采用：频率8～10Hz，峰值电流250～275A，基值电流200～210A，氩气流量6～9L/min；

5)将重熔后的铝活塞毛坯进行缓慢冷却，获得喉口重熔后的活塞毛坯；

6)对重熔后的铝活塞毛坯精加工后形成喉口部位重熔强化活塞。

2.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：在步骤1)中的铝活塞毛坯的化学成分及质量百分比为：Si：11.0％～13.0％，Mg：0.5％～1.2％，Cu：3.0％～5.0％，Ni：1.75％～3.0％，Ti：0.1％～0.2％，Fe：0.1％～0.3％，Zr：0.1％～0.2％，V：0.05％～0.18％，其余为Al。

3.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：在步骤5)中，冷却温度初始为150～160℃，冷却时间为1h～2h。

4.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：在步骤3)中，烘干温度100～120℃，烘干时间为40～60min。

5.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：在步骤1)中，加工余量为1.5mm～2mm。

6.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：在步骤2)中，清洗剂采用丙酮或三氯乙烯。

7.根据权利要求6所述的重熔强化制备方法，其特征在于：清洗时间为5～8min。

8.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：所述喉口重熔部位的重熔区深度基本为5mm，宽度为10mm。

9.根据权利要求1所述的重熔强化制备方法，其特征在于：所述喉口重熔部位的初晶硅的晶粒平均尺寸为4～5μm，最大尺寸不大于15um。