[发明专利]基片处理装置和载置台上是否存在聚焦环的检测方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

载置台，其包括用于载置基片的第1载置面和包围该第1载置面并用于载置聚焦环的第2载置面；

光源；

聚焦调节部，其将来自所述光源的光聚焦到当所述聚焦环被载置于所述第2载置面上时的聚焦环的下表面位置；

接收来自所述下表面位置的光的受光部；以及

控制部，其基于所述受光部接收到的光，检测所述第2载置面上是否存在聚焦环。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：

在所述第2载置面开口且贯通所述载置台的第1贯通孔；和

配置于所述第1贯通孔内的能够透射光的透射部件，

所述聚焦调节部将来自所述光源的光经由配置于所述第1贯通孔内的透射部件聚焦到所述聚焦环的下表面位置。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述透射部件是蓝宝石或者石英的部件。

4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述受光部接收来自所述下表面位置的反射光，

所述控制部在接收到的反射光的光量超过阈值的情况下检测为存在聚焦环，在接收到的反射光的光量为阈值以下的情况下检测为不存在聚焦环。

5.如权利要求2至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述透射部件封堵所述第1贯通孔。

6.如权利要求2至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述透射部件是形成为能够在与所述第2载置面正交的方向升降的升降销。

7.如权利要求2至6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第1贯通孔有多个，

所述受光部对所述多个第1贯通孔各配置一个。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括由一部分在上下方向上彼此重叠的2个以上的环部件构成的聚焦环，

所述2个以上的环部件的至少一者具有第2贯通孔，当所述2个以上的环部件的至少一者配置于所述第2载置面上时所述第2贯通孔与第1贯通孔连通并被所述2个以上的环部件的另一者封闭，

所述聚焦调节部将来自光源的光聚焦到所述2个以上的环部件的所述另一者的下表面位置。

9.如权利要求1至8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括对置部件，其与所述第2载置面对置地配置在所述第2载置面之上，由与所述聚焦环相同的材料形成。

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

所述对置部件是由硅形成的喷淋头。

11.一种载置台上是否存在聚焦环的检测方法，其特征在于：

将来自光源的光聚焦到当聚焦环被载置于载置台的第2载置面上时的聚焦环的下表面位置，其中所述载置台包括用于载置基片的第1载置面和包围所述第1载置面并用于载置聚焦环的第2载置面，

接收来自所述下表面位置的光，

基于接收到的光，检测所述第2载置面上是否存在聚焦环。

12.如权利要求11所述的载置台上是否存在聚焦环的检测方法，其特征在于：

将所述来自光源的光经由配置于第1贯通孔内的能够透射光的透射部件而聚焦到所述聚焦环的下表面位置，其中所述第1贯通孔在所述第2载置面开口且贯通所述载置台，

根据接收到的光的光量，检测所述第2载置面上是否存在聚焦环。