[发明专利]多频低噪声放大器

权利要求书

1.一种多频低噪声放大器，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第三电容、接地电感、输入电感、输出电感、第一电阻、第一MOS管和第二MOS管；其中：

所述第一电容的一端为所述多频低噪声放大器的输入端；所述第一电容的另一端分别与第二电容的一端、输入电感的一端和第一MOS管的栅极连接；所述输入电感的另一端连接偏置电压；

所述第二电容的另一端连接所述第一MOS管的源极和所述接地电感的一端，所述接地电感的另一端接地；所述第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的栅极连接所述第一电阻的一端，所述第二MOS管的漏极连接第三电容的一端和输出电感的一端，所述输出电感的另一端和所述第一电阻的另一端均连接电源电压，所述第三电容的另一端为所述多频地噪声放大器的输出端；

从所述输入电感的一端至另一端依次间隔设有第一输入抽头、第二输入抽头、第三输入抽头和第四输入抽头；所述第一输入抽头和第四输入抽头之间连接第二单级射频开关，所述第二输入抽头和第三输入抽头之间连接第一单级射频开关。

2.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述第一单级射频开关和第二单级射频开关包括均第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接第一栅极电阻的一端，所述第三MOS管的源极和漏极之间连接第一漏源电阻；

第一单级射频开关中第三MOS管的源极和漏极分别连接第二输入抽头和第三输入抽头；第二单级射频开关中第三MOS管的源极和漏极分别连接第一输入抽头和第四输入抽头；

所述第一单级射频开关中第一栅极电阻的另一端连接第一开关信号；所述第二单级射频开关中第一栅极电阻的另一端连接第二开关信号。

3.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，在所述输出电感上，从所述输出电感的一端至另一端依次间隔设有第一输出抽头、第二输出抽头、第三输出抽头和第四输出抽头；所述第一输出抽头和第四输出抽头之间连接第二双级射频开关，所述第二输出抽头和第三输出抽头之间连接第一双级射频开关。

4.如权利要求3所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述第一双级射频开关和第二双级射频开关均包括第四MOS管和第五MOS管；所述第四MOS管的栅极连接第二栅极电阻，第五MOS管的栅极连接第三栅极电阻；所述第四MOS管的漏极和源极之间连接第二漏源电阻，所述第五MOS管的漏极和源极之间连接第三漏源电阻，所述第四MOS管的源极连接所述第五MOS管的漏极；

所述第二输出抽头连接所述第一双级射频开关的第四MOS管漏极，所述第三输出抽头连接所述第一双级射频开关的第五MOS管源极；所述第一输出抽头连接所述第二双级射频开关的第四MOS管漏极，所述第四输出抽头连接所述第二双级射频开关的第五MOS管的源极。

5.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述输入电感和输出电感均包括多圈绕线，所述输入电感的绕线线宽从所述输入电感的外圈至内圈逐渐变窄，所述输出电感的绕线线宽从所述输出电感的外圈至内圈逐渐变窄。

6.如权利要求5所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述输入电感相邻线圈之间的间距，从所述输入电感的外圈至内圈逐渐变大；所述输出电感相邻线圈之间的间距，从所述输出电感的外圈至内圈逐渐变大。

7.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述输入电感和输出电感均为L型阻抗匹配电感。

8.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述第二电容和第三电容均为可变电容。