[发明专利]一种印制电路复合介质基板表面金属化方法在审
| 申请号： | 202010170090.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111343793A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 游相清;何为;曹金东;叶之洋;孙弘毅;陈苑明;王守绪;王翀;周国云;洪延;杨文君 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H05K3/02 | 分类号： | H05K3/02;H05K3/38 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 印制电路 复合 介质 表面 金属化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种印制电路复合介质基板表面金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、采用激光打孔的方法在印制电路复合介质基板表面形成深度为1～2μm的孔；
步骤2、采用低温等离子体法与高锰酸钾法依次对步骤1处理后的介质基板进行表面咬蚀处理；
步骤3；在步骤2处理后得到的复合介质基板表面进行化学镀铜种子层；
步骤4、在步骤3处理后得到的复合介质基板表面电镀铜，即可实现印制电路复合介质基板表面金属化。
2.根据权利要求1所述的印制电路复合介质基板表面金属化方法，其特征在于，步骤1在复合介质基板表面形成的孔的深度为1～2μm，孔径为75～150μm，孔间距为40～80μm。
3.根据权利要求1所述的印制电路复合介质基板表面金属化方法，其特征在于，步骤1所述激光打孔的方法中，采用的激光能量为0.2～2.0mJ，脉冲宽度为1～15μs。
4.根据权利要求1所述的印制电路复合介质基板表面金属化方法，其特征在于，步骤2所述低温等离子体法中采用的气体为O2和CF4的混合气体；所述高锰酸钾法中采用的高锰酸钾溶液为酸性高锰酸钾或碱性高锰酸钾，高锰酸钾溶液的浓度为2g/L～10g/L，处理温度为70～90℃，处理时间为10～60min；所述表面咬蚀处理的对象是印制电路复合介质基板的树脂组分。
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