[发明专利]结构中的基于衍射的应变测量和损伤检测的表面下图案化在审

专利信息
申请号: 202010170201.1 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN111692983A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: G·E·乔治森;K·H·格里斯;R·L·凯勒 申请(专利权)人: 波音公司
主分类号: G01B11/16 分类号: G01B11/16;G01B11/02;G01N21/95
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王小东;黄纶伟
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 结构 中的 基于 衍射 应变 测量 损伤 检测 表面 图案
【权利要求书】:

1.一种用于评定结构组件(10,30,50,70,100)中的应变的检查系统(110),该检查系统(110)包括:

所述结构组件(10,30,50,70,100)内的沟槽(14)的第一几何图案(12,38,60,72),所述沟槽(14)的第一几何图案具有各自具有第一沟槽宽度的第一组沟槽(14);

以与第一沟槽宽度对应的第一波长投射电磁EM能的第一投射波束(142)的第一EM能源(128),其中,当所述EM能的第一投射波束(142)被投射到所述结构组件(10,30,50,70,100)上时,所述EM能的第一投射波束(142)穿过所述结构组件(10,30,50,70,100)到达所述沟槽(14)的第一几何图案(12,38,60,72),并被所述第一组沟槽(14)衍射以创建具有第一衍射波长的衍射EM能的第一衍射波束(144),所述第一衍射波长指示由于所述结构组件(10,30,50,70,100)暴露于环境条件时所导致的所述应变而引起的所述第一沟槽宽度的改变;

EM能检测器(132),当所述第一EM能源(128)将所述EM能的第一投射波束(142)投射到所述结构组件(10,30,50,70,100)上时,所述EM能检测器(132)检测来自所述第一组沟槽(14)的所述衍射EM能的第一衍射波束(144)的所述第一衍射波长;以及

处理器(114),该处理器(114)在操作时连接到所述EM能检测器(132)并被配置为从所述EM能检测器(132)接收所述衍射EM能的第一衍射波束(144)的所述第一衍射波长并将所述第一衍射波长与所述结构组件(10,30,50,70,100)中的所述应变相关联。

2.根据权利要求1所述的检查系统(110),其中,所述沟槽(14)的第一几何图案(12,38,60,72)反射所述EM能的第一投射波束(142)以使所述衍射EM能的第一衍射波束(144)返回透射通过所述结构组件(10,30,50,70,100),并且其中,所述第一EM能源(128)和所述EM能检测器(132)被定位在所述结构组件(10,30,50,70,100)的同一侧。

3.根据权利要求1所述的检查系统(110),其中,所述衍射EM能的第一衍射波束(144)在所述沟槽(14)的第一几何图案(12,38,60,72)的与所述EM能的第一投射波束(142)相反的一侧透射通过所述结构组件(10,30,50,70,100),并且其中,所述第一EM能源(128)和所述EM能检测器(132)被定位在所述结构组件(10,30,50,70,100)的相反侧。

4.根据权利要求1所述的检查系统(110),其中,所述沟槽(14)的第一几何图案(12,38,60,72)具有各自具有第二沟槽宽度的第二组沟槽(14),其中,所述检查系统(110)包括以与所述第二沟槽宽度对应的第二波长投射EM能的第二投射波束(142)的第二EM能源(130),其中,当所述EM能的第二投射波束(142)被投射到所述结构组件(10,30,50,70,100)上时,所述EM能的第二投射波束(142)穿过所述结构组件(10,30,50,70,100)到达所述沟槽(14)的第一几何图案(12,38,60,72),并被所述第二组沟槽(14)衍射以创建具有第二衍射波长的衍射EM能的第二衍射波束(144),所述第二衍射波长指示由于所述结构组件(10,30,50,70,100)暴露于所述环境条件时所导致的所述应变而引起的所述第二沟槽宽度的改变,

其中,当所述第二EM能源(130)将所述EM能的第二投射波束(142)投射到所述结构组件(10,30,50,70,100)上时,由所述EM能检测器(132)检测从所述第二组沟槽(14)反射的所述衍射EM能的第二衍射波束(144)的所述第二衍射波长,并且

其中,所述处理器(114)被配置为从所述EM能检测器(132)接收所述衍射EM能的第二衍射波束(144)的所述第二衍射波长并将所述第二衍射波长与所述结构组件(10,30,50,70,100)中的所述应变相关联。

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