[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010170568.3 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111370590A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 陈小童 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,定义有像素区,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上;
平坦层,设置于所述薄膜晶体管层上;
凹槽,设置于所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧的表面上,且与所述像素区对应设置;
第一过孔,贯穿所述平坦层直至所述薄膜晶体管层;
阳极层,设置于所述凹槽和所述第一过孔内,并延伸至所述平坦层表面;以及
像素定义层,设置于所述凹槽的内侧壁及所述第一过孔内壁的阳极层上,且延伸至所述平坦层的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
发光层,设置于所述凹槽底面的阳极层表面;以及
阴极层,设置于所述发光层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括:
有源层,设置于所述基板上;
绝缘层,设置于所述有源层上,并延伸至所述基板上;
栅极层,设置于所述绝缘层上;
钝化层,设置于所述栅极层上;
第二过孔,贯穿所述钝化层直至所述有源层远离所述基板的一侧的表面;以及
源漏极层,设置于所述第二过孔内,且连接至所述有源层;
其中,所述第一过孔贯穿所述平坦层直至所述源漏极层远离所述基板的一侧的表面。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阳极层的材质包括导电金属、导电氧化物、导电合金中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层的材质为有机光阻材料。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板定义有像素区,所述显示面板的制备方法包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上制备薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层上制备平坦层;
在所述平坦层上形成凹槽和第一过孔;所述凹槽设置于所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧的表面上,且与所述像素区对应设置;所述第一过孔贯穿所述平坦层直至所述薄膜晶体管层;
在所述凹槽和所述第一过孔内制备阳极层,且延伸至所述平坦层表面;以及
在所述凹槽的内侧壁及所述第一过孔内壁的阳极层上制备像素定义层,且延伸至所述平坦层的表面。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述平坦层上形成凹槽和第一过孔的步骤中,通过半色调掩膜工艺在所述平坦层上形成凹槽和第一过孔。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述凹槽和所述第一过孔内制备阳极层的步骤中,通过物理气相沉积法在所述凹槽和所述第一过孔内制备阳极层。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:
在所述凹槽底面的阳极层表面制备发光层;以及
在所述发光层上制备阴极层。
10.一种显示装置,包括权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010170568.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择