[发明专利]一种可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构

权利要求书

1.一种可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，包括从上至下依次层叠设置的石墨烯层(11)、金属微纳阵列层(12)、介质层(13)及基底层(14)，其中，所述石墨烯层(11)的上方设有从下至上依次布置的下透明导电层(15)、介质绝缘层(16)以及上透明导电层(17)，所述下透明导电层(15)与上透明导电层(17)之间电连接有直流电源(18)；所述金属微纳阵列层(12)包括至少一组同层阵列布置的阵列单元，每一组阵列单元包括沿一阵列方向依次间隔设置的第一微纳颗粒列(121)、第二微纳颗粒列(122)及第三微纳颗粒列(123)，所述第一微纳颗粒列(121)、第二微纳颗粒列(122)及第三微纳颗粒列(123)中均由若干等距间隔设置的金属微纳颗粒沿着各自的列队方向布置而成；

所述第一微纳颗粒列(121)、第二微纳颗粒列(122)及第三微纳颗粒列(123)的金属微纳颗粒均为圆柱状结构；

假定所述第一微纳颗粒列(121)的金属微纳颗粒的直径为W₁,所述第二微纳颗粒列(122)的金属微纳颗粒的直径为W₂，所述第三微纳颗粒列(123)的金属微纳颗粒的直径为W₃，所述第一微纳颗粒列(121)、第二微纳颗粒列(122)及第三微纳颗粒列(123)的高度为h，则有W₁＝160nm，W₂＝140nm，W₃＝120nm，h＝20nm。

2.如权利要求1所述的可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，构成所述下透明导电层(15)与上透明导电层(17)的材料为铟锡氧化物或掺铟氧化铟中的至少一种；构成所述介质绝缘层(16)的材料为纳米二氧化钛改性绝缘纸。

3.如权利要求1所述的可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，假定所述第一微纳颗粒列(121)的阵列周期为P₁，所述第二微纳颗粒列(122)的阵列周期为P₂，所述第三微纳颗粒列(123)的阵列周期为P₃，所述第一微纳颗粒列(121)、第二微纳颗粒列(122)及第三微纳颗粒列(123)的总阵列周期为P。

4.如权利要求1所述的可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，所述基底层(14)由银金属制成。

5.如权利要求1所述的可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，所述基底层(14)的厚度为100nm。

6.如权利要求1所述的可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，所述介质层(13)为三氧化二铝。

7.如权利要求1所述的可调式近红外三阵列周期宽波段光吸收增强结构，其特征在于，所述金属微纳阵列层(12)由银金属制成。