[发明专利]半导体装置、半导体晶片和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有像素阵列区域和第一密封环区域，其中所述第一密封环区域靠近所述半导体衬底的边缘并围绕所述像素阵列区域；以及

第一深沟槽隔离DTI结构，所述第一DTI结构填充有形成于所述半导体衬底上的介电材料，所述第一DTI结构安置在所述第一密封环区域中并延伸到所述半导体衬底中，其中所述第一DTI结构围绕所述像素阵列区域。

2.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括：

第一密封环，所述第一密封环形成于所述第一密封环区域中，所述第一密封环安置在所述半导体衬底的所述边缘附近并且与所述第一DTI结构竖直分离某一竖直距离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一密封环和所述第一DTI结构由介电层分离。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括第二DTI结构，所述第二DTI结构填充有所述介电材料，且所述第二DTI结构安置在所述第一密封环区域中并且被配置成围绕所述第一DTI结构。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第二DTI结构安置在所述半导体衬底的所述第一密封环区域中并与所述第一DTI结构侧向间隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述半导体衬底具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，所述DTI结构具有形成于所述半导体衬底的所述第一侧上的开口，并且所述第一密封环形成于所述半导体衬底的所述第二侧上。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述像素阵列区域包含包括多个像素的像素阵列，所述多个像素间隔开某一像素间距，所述第一DTI结构与所述第二DTI结构侧向间隔开所述像素间距。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述介电材料包含氧化物材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述介电材料包括介电常数大于3.9的材料。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：第二DTI结构，所述第二DTI结构填充有由所述第一DTI结构包围的所述介电材料。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一DTI结构具有裂纹。

12.一种半导体晶片，其包括：

至少一个半导体装置，所述至少一个半导体装置形成于所述半导体晶片上，所述半导体装置包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有像素阵列区域和第一密封环区域，其中所述第一密封环区域靠近所述半导体衬底的边缘并围绕所述像素阵列区域；以及

多个第一深沟槽隔离DTI结构，所述多个第一DTI结构安置在所述第一密封环区域中，所述第一DTI结构中的每个第一DTI结构填充有介电材料并延伸到所述半导体衬底中，其中所述多个第一DTI结构围绕所述像素阵列区域；以及

划片区域，所述划片区域安置在所述半导体装置的所述边缘附近并被配置成围绕所述半导体装置。

13.根据权利要求12所述的半导体晶片，其中所述多个第一DTI结构包括被配置成围绕其它第一DTI结构的最外面的第一DTI结构，并且所述最外面的第一DTI结构与所述划片区域侧向间隔开。

14.根据权利要求12所述的半导体晶片，其进一步包括：

第一密封环，所述第一密封环形成于所述第一密封环区域中，所述第一密封环安置在所述半导体衬底的所述边缘附近并且与所述多个第一DTI结构竖直分离某一竖直距离。

15.根据权利要求14所述的半导体晶片，其中所述第一密封环和所述多个第一DTI结构由介电层分离。