[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

说明书

本发明的课题在于以低成本适当地监控中子射线的产生状况。离子注入装置(100)具备：多个装置，沿着传输离子束的射束线(BL)配置；多个中子射线测定器(51、52、53、54)，配置于射束线的附近的多个位置，并测定由于高能量的离子束的碰撞而可能在射束线的多个部位产生的中子射线；及控制装置，根据多个中子射线测定器(51～54)中的至少一个中子射线测定器的测定值来监控多个装置中的至少一个。

技术领域

本申请主张基于2019年3月19日申请的日本专利申请第2019-051015号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置及离子注入方法。

背景技术

在半导体制造工序中，由于改变导电性的目的、改变半导体晶片的晶体结构目的等，规范地实施了将离子注入到半导体晶片中的工序。在该工序中使用的装置通常称为离子注入装置。根据注入到晶片的表面附近的离子的所期望的注入深度来确定离子的注入能量。在向浅区域的注入中使用低能量的离子束，在向深区域的注入中使用高能量的离子束。

近年来，为了向更深区域的注入，对相较于以往的高能量离子注入使用更高能量的离子束、所谓的超高能量离子注入的要求日益增加。加速至超高能量的离子具有与离子注入装置的射束线中存在的部件碰撞而引起核反应的可能性。通过所发生的核反应，可能产生中子射线等放射线。

专利文献1：日本特开2018-206504号公报

在担心产生中子射线的超高能量离子注入装置的情况下，因用于加速并传输离子束的射束线长，从而期望能够在整个射束线上监视中子射线的产生状况。另一方面，由于所设想的中子射线的产生量不是很大，因此期望通过在射束线的附近配置中子射线测定器而能够高精确度地测定中子射线。然而，若为了在整个射束线上高精确度地测定中子射线而沿着长的射束线配置多个中子射线测定器，则会导致成本的大幅增加。

发明内容

本发明的一种实施方式的示例性目的之一在于提供一种能够以低成本适当地监控中子射线的产生状况的离子注入装置。

本发明的一种实施方式的离子注入装置具备：多个装置，沿着传输离子束的射束线配置；多个中子射线测定器，配置于射束线的附近的多个位置，并测定由于高能量的离子束的碰撞而可能在射束线的多个部位产生的中子射线；及控制装置，根据多个中子射线测定器中的至少一个中子射线测定器的测定值来监控多个装置中的至少一个。

本发明的另一种实施方式为离子注入方法。该方法具备：使用配置在传输离子束的射束线的附近的多个位置的多个中子射线测定器，测定由于高能量的离子束的碰撞而可能在射束线的多个部位产生的中子射线的工序；及根据多个中子射线测定器中的至少一个中子射线测定器的测定值来监控沿着射束线配置的多个装置中的至少一个的工序。

另外，将上述构成要件的任意组合、本发明的构成要件、表述在方法、装置、系统等之间相互替换而得的实施方式也作为本发明的实施方式是有效的。

发明效果

根据本发明，能够提供一种装置外的中子剂量率得到了抑制的离子注入装置。

附图说明

图1是示意地表示设置在框体的中子射线散射部件的图。

图2是示意地表示容纳部的结构的剖视图。

图3是示意地表示与框体分开设置的中子射线散射部件的图。

图4是表示实施方式所涉及的离子注入装置的基本结构的俯视图。

图5中，图5(a)～图5(c)是表示图4的离子注入装置的基本结构的侧视图。

图6是示意地表示装载端口的正面门的结构的俯视图。