[发明专利]一种有机可焊性保护剂及有机铜配位聚合物膜的制备方法

权利要求书

1.一种有机可焊性保护剂，其特征在于，由咪唑化合物、小分子酸、长链酸、过渡金属离子、去离子水和pH调节剂组成，其中：咪唑化合物的浓度为1～10g/L，小分子酸的浓度为2～10mol/L，长链酸的浓度为1～10g/L，过渡金属离子的浓度为0.1～1g/L；所述有机可焊性保护剂的pH值为2～4，所述咪唑化合物为2-[(2，4二氯苯基)甲基]-1H-苯并咪唑。

2.根据权利要求1所述的一种有机可焊性保护剂，其特征在于，所述小分子酸为甲酸、乙酸、丙酸、甲氧基乙酸中任一种或其任意组合；

和/或，所述过渡金属离子为铜离子、锌离子或铁离子；

和/或，所述长链酸为十六烷酸、十八烷酸、油酸、正辛酸、正庚酸中的任一种或者其任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种有机可焊性保护剂，其特征在于，所述pH调节剂为氨水、甲酸或醋酸。

4.一种有机铜配位聚合物膜的制备方法，其特征在于，基于权利要求1-3任一项所述的一种有机可焊性保护剂实现，包括以下步骤：

步骤A：采用酸性除油液浸泡印制电路板，进行脱脂除油处理，而后进行水洗；

步骤B：采用微蚀液对所述印制电路板进行微蚀处理，除去铜表面的氧化物，微蚀后进行水洗；

步骤C：采用预浸液对所述印制电路板进行预浸处理，以避免有机可焊性保护剂主液在金面上成膜，防止金面变色，而后进行水洗；

步骤D：采用所述有机可焊性保护剂对所述印制电路板进行OSP处理，使咪唑化合物与铜离子配合，在铜面形成有机铜配位聚合物膜。

5.根据权利要求4所述的一种有机铜配位聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述有机铜配位聚合物膜的厚度为0.3μm～0.5μm。

6.根据权利要求4所述的一种有机铜配位聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述酸性除油液包括硫酸、OP乳化剂和去离子水，其中，硫酸的体积百分比浓度为3％～10％，OP乳化剂的体积百分比浓度为3％～10％。

7.根据权利要求4所述的一种有机铜配位聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述微蚀液包括过氧化氢、硫酸和稳定剂，其中过氧化氢体积百分比浓度为0.5～3％，硫酸的体积百分比浓度为2～8％，稳定剂的体积百分比浓度为2～8％。

8.根据权利要求4所述的一种有机铜配位聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述预浸液包括苯并咪唑、三乙醇胺、醋酸铵和去离子水，其中，苯并咪唑的质量浓度为1～5g/L，三乙醇胺的质量浓度为1～5g/L，醋酸铵的质量浓度为0.2～1g/L。

9.根据权利要求4所述的一种有机铜配位聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述脱脂除油处理的处理温度30～50℃，处理时间为1～5min；

和/或所述微蚀处理的处理温度为25～45℃，处理时间为1～5min；

和/或所述预浸处理的处理温度为30～50℃，处理时间为1～5min；

和/或所述OSP处理的处理温度为30℃～50℃，处理时间为1～5min。