[发明专利]一种二维硅的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种二维硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以ASi₂型合金为前驱体，采用化学脱合金的方法对所述前驱体进行处理，即可得到二维硅。

2.如权利要求1所述的二维硅的制备方法，其特征在于，所述前驱体包括：CaSi₂、NiSi₂、FeSi₂、TiSi₂、CaSi₂、CoSi₂、CrSi₂、NbSi₂、ZrSi₂、MoSi₂、LiSi₂中的任意一种或两种及以上的混合物。

3.如权利要求1所述的二维硅的制备方法，其特征在于，所述化学脱合金的方法为采用酸对前驱体进行刻蚀处理。

4.如权利要求3所述的二维硅的制备方法，其特征在于所述酸包括盐酸、硫酸、醋酸、草酸，柠檬酸、磷酸、亚硫酸、磷酸、氢氟酸、甲酸、苯甲酸、乙酸、丙酸、硬脂酸、碳酸、氢硫酸、次氯酸、硼酸、硅酸中的任意一种或两种及以上的混合物。

5.如权利要求1-4任一项所述的二维硅的制备方法，其特征在于，反应的温度为0-80℃，反应的时间为1-24h，优选为在25-50℃之间反应5-24h。

6.如权利要求1-4任一项所述的二维硅的制备方法，其特征在于，反应后对得到的产物依次进行过滤、洗涤、干燥；优选地，所述干燥为真空干燥；真空干燥的温度为70-150℃。

7.一种二维硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以ASi₂型合金为前驱体，采用真空脱合金的方法对所述前驱体进行处理，即可得到二维硅。

8.如权利要求7所述的二维硅的制备方法，其特征在于，所述前驱体包括：CaSi₂、LiSi₂中的一种或两种的混合物。

9.如权利要求7所述的二维硅的制备方法，其特征在于，保温温度为800℃-1500℃，时间为0.1-20h，优选为在880-1400℃之间保温0.1-20h；或者，真空度等于或小于10Pa。

10.权利要求1-9任一项所述的二维硅的制备方法得到的二维硅在催化、吸附、储能领域中的应用；优选为在锂离子电池、超级电容器、太阳能电池中的应用。