[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括第一块存储区及第二块存储区，所述第一块存储区包括第一核心区及位于所述第一核心区中部的第一台阶区，所述第二块存储区包括第二核心区以及位于所述第二核心区中部的第二台阶区，所述第一核心区与第二核心区沿第一方向相邻排布且相互隔离，所述第一台阶区与所述第二台阶区沿第二方向相邻排布且相互隔离，其中，所述第一台阶区具有沿第一方向延伸至所述第二核心区内部的第一台阶拓宽部，所述第一台阶拓宽部通过第一栅线隙与所述第二核心区隔离；所述第二台阶区具有沿第一方向反向延伸至所述第一核心区内部的第二台阶拓宽部，所述第二台阶拓宽部通过第二栅线隙与所述第一核心区隔离。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述第一核心区包括位于所述第一台阶区及第二台阶区两端的第一子核心区及第二子核心区，所述第一子核心区与所述第一台阶区相连，所述第二核心区包括位于所述第一台阶区及第二台阶区两端的第三子核心区及第四子核心区，所述第四子核心区与所述第二台阶区相连；所述第一块存储区还包括同时位于所述第一台阶区远离所述第一台阶拓宽部的一侧、所述第二台阶区靠近所述第二台阶拓宽部一侧的第一桥接墙，所述第一桥接墙连接所述第一台阶区、所述第一子核心区及第二子核心区，所述第二块存储区还包括同时位于所述第一台阶区靠近第一台阶拓宽部的一侧、所述第二台阶区远离所述第二台阶拓宽部一侧的第二桥接墙，所述第二桥接墙连接所述第二台阶区、所述第三子核心区及第四子核心区。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：所述第一子核心区与所述第三子核心区通过第一块间栅线隙隔离，所述第一块间栅线隙与所述第一栅线隙相连，所述第二子核心区与所述第四子核心区通过第二块间栅线隙隔离，所述第二块间栅线隙与所述第二栅线隙相连。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于：所述第一台阶拓宽部延伸至与所述第二桥接墙相邻，且通过第三栅线隙与所述第二桥接墙隔离，所述第一栅线隙与所述第三栅线隙相连，所述第二台阶拓宽部延伸至与所述第一桥接墙相邻，且通过第四栅线隙与所述第一桥接墙隔离，所述第四栅线隙与所述第二栅线隙连接。

5.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：所述第一核心区及所述第二核心区均包括多个指存储区，各指存储区之间通过指间栅线隙隔离。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于：延伸至所述第二核心区内部的第一台阶拓宽部的宽度为所述指存储区的宽度的整数倍。

7.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于：所述第一桥接墙及所述第二桥接墙的宽度介于0.5个所述指存储区的宽度至2个所述指存储区的宽度之间。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述第一台阶区及第二台阶区的台阶从各自对应的核心区朝所述第一台阶区及第二台阶区之间的隔离带依次降低，并在所述隔离带切断。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述第一核心区及第二核心区包括堆叠结构以及贯穿所述堆叠结构的沟道存储结构阵列，所述沟道存储结构包括贯穿所述堆叠结构的沟道孔及位于所述沟道孔中的存储器膜及沟道层。