[发明专利]Zn15

权利要求书

1.一种Zn₁₅Sb₈₅/Zn₅₀Sb₅₀纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，薄膜总厚度为40-60 nm，结构通式为[Zn₁₅Sb₈₅(a)/Zn₅₀Sb₅₀(b)]_n，其中a和b分别表示单个周期中Zn₁₅Sb₈₅薄膜和Zn₅₀Sb₅₀薄膜的厚度，且1a25 nm，1b25 nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n25。

2.如权利要求1所述的Zn₁₅Sb₈₅/Zn₅₀Sb₅₀纳米复合多层相变薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1）清洗薄膜衬底基片；

2）安装好溅射靶材Zn₁₅Sb₈₅和Zn₅₀Sb₅₀，先后开启机械泵和分子泵抽真空；

3）设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率；

4）采用室温磁控溅射方法制备[Zn₁₅Sb₈₅(a)/Zn₅₀Sb₅₀(b)]_n纳米复合多层相变薄膜：

（a）将基片旋转到Zn₁₅Sb₈₅靶位，开启Zn₁₅Sb₈₅的溅射电源，按一定的溅射速度开始溅射Zn₁₅Sb₈₅薄膜，Zn₁₅Sb₈₅薄膜溅射完成后，关闭Zn₁₅Sb₈₅的交流溅射电源；

（b）将基片旋转到Zn₅₀Sb₅₀靶位，开启Zn₅₀Sb₅₀的溅射电源，按一定的溅射速度开始溅射Zn₅₀Sb₅₀薄膜，Zn₅₀Sb₅₀薄膜溅射完成后，关闭Zn₅₀Sb₅₀的交流溅射电源；

（c）重复上述（a）、（b）两步，直到完成多层[Zn₁₅Sb₈₅(a)/Zn₅₀Sb₅₀(b)]_n纳米相变存储薄膜设定的周期数。

3.如权利要求2所述的Zn₁₅Sb₈₅/Zn₅₀Sb₅₀纳米复合多层相变薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）中具体的清洗薄膜衬底基片的过程为：

（a）将基片置于乙醇溶液中，用超声清洗10分钟，去基片表面灰尘颗粒以及无机杂质；

（b）将基片置于丙酮溶液中，用超声清洗10分钟，去基片表面有机杂质；

（c）将基片置于去离子水中，用超声清洗10分钟，再次清洗表面；

（d）取出基片，用高纯N₂吹干表面和背面，放置在干燥箱内待用。

4. 如权利要求2所述的Zn₁₅Sb₈₅/Zn₅₀Sb₅₀纳米复合多层相变薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）中所用薄膜衬底基片为SiO₂/Si(100) 、石英或硅基片。

5. 如权利要求2所述的Zn₁₅Sb₈₅/Zn₅₀Sb₅₀纳米复合多层相变薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2）中抽真空后真空度低于2×10^-4 Pa。