[发明专利]LED芯片的混晶方法

权利要求书

1.一种LED芯片的混晶方法，其特征在于，所述混晶方法包括步骤：

1)提供具有各种发光波长的多个LED芯片，将所述LED芯片混入溶剂中，所述溶剂的密度小于所述LED芯片的密度；

2)提供混晶基板，所述混晶基板具有多个适于所述LED芯片嵌入的凹槽，将混有所述LED芯片的溶剂倒在所述混晶基板上，并使所述混晶基板与所述LED芯片相对运动，使所述LED芯片嵌入所述凹槽中；

3)移除未嵌入所述凹槽中的LED芯片；

4)将位于所述凹槽中的LED芯片进行转移。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述溶剂包括纯净水、乙醇、丙酮及异丙醇中的一种或上述多种溶剂的混合物。

3.根据权利要求1所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述混晶基板为平板玻璃或陶瓷，所述混晶基板上的凹槽规则排列，所述凹槽形状与所述LED芯片的形状相同且其水平尺寸略大于所述LED芯片的水平尺寸，所述凹槽的深度与所述芯片LED的高度相同或略低于所述LED芯片的高度。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述混晶基板与所述LED芯片相对运动包括：使用机械方法水平方向震荡所述混晶基板，或分别或同时旋转所述混晶基板及所述溶剂，或将超声作用于所述溶剂中，或使所述溶剂方向多变地流动。

5.根据权利要求1所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：移除未嵌入所述凹槽中的LED芯片包括：将所述混晶基板倾斜一倾斜角度，并以溶剂冲洗，移除未嵌入所述凹槽中的LED芯片。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述LED芯片为Micro LED芯片，所述Micro LED芯片的顶部具有圆柱状结构，所述圆柱状结构用于保持所述Micro LED芯片在与基板相对运动中保持顶部朝上，同时翻转顶部朝下的Micro LED芯片。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述Micro LED芯片为垂直结构，所述圆柱状结构为所述Micro LED芯片的第一电极，所述Micro LED芯片的底部具有第二电极，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

8.根据权利要求6所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述Micro LED芯片为水平结构，所述Micro LED芯片的底部具有第一电极及第二电极，所述第一电极与所述第二电极的极性相反，所述第一电极位于所述底部的中心，所述第二电极呈环状电极环绕所述第一电极。

9.根据权利要求6所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：步骤3)中同时移除顶部朝下的LED芯片，步骤4)通过转印方法，将所述混晶基板上的所述Micro LED芯片转移至转移基板上。

10.根据权利要求1～5任意一项所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述LED芯片为Micro LED芯片，所述Micro LED芯片为水平结构，所述Micro LED芯片包括顶部发光面以及底部，所述底部上具有第一电极及第二电极，所述第一电极与所述第二电极的极性相反，所述第一电极位于所述底部的中心，所述第二电极呈环状电极环绕所述第一电极；所述凹槽底部具有与所述第一电极及第二电极形状相同且尺寸略大于所述第一电极及第二电极的电极槽，用于嵌入所述第一电极及第二电极，当所述Micro LED芯片的发光面朝上时，所述第一电极及第二电极嵌入所述电极槽，当所述Micro LED芯片发光面朝下时，所述第一电极及第二电极露出于所述混晶基板。