[发明专利]一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质

说明书

本发明实施例公开了一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质，其中光学临近效应修正方法包括：根据目标图形的设计规则，制作测试图形光罩；获取光学临近效应修正模型所需的数据，并建立光学临近效应修正模型；获取测试图形的线端回缩数据，并建立线端回缩规则表；根据线端回缩规则表，确定初始修正值；根据初始修正值和光学临近效应修正模型对目标图形进行修正。本发明实施例提供的方法通过建立线端回缩规则表确定初始修正值，利用初始修正值进行光学临近效应修正，可以有效提高光学临近效应修正在修正线端回缩时的收敛性，提高修正效率，减少光学临近效应修正的运行时间，进而提高半导体制造效率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质。

背景技术

基于模型的光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)从180nm技术节点开始被广泛应用。它使用光学模型和光刻胶化学反应模型来计算出曝光后的图形。

光刻图形失真之线端回缩(Line end shortening，LES)是指晶圆上实际图形长度小于设计图形长度，这种失真的偏差来自于光刻衍射成像过程中高频信息丢失导致的空间光学像的畸变，空间光学像的畸变程度和特征尺寸紧密相关，随着特征尺寸的减小，线端回缩明显增大，会使得有缘层栅极层器件或者金属层通孔层覆盖面积不够，导致电路器件性能变差。因此需要在OPC中会使掩模版在线端的长度修正变长。

在OPC修正过程中，所有需要进行修正的图形会根据OPC模型的预测，在图形的边分段后进行片段的移动以使图形的光阻形状达到目标值。然而对于越来越先进的光刻制程下，光学衍射效应也越来越严重，图形在线端会产生非常大的回缩效应。此时为了使图形在晶圆上达到目标，OPC修正会往外移动图形相当大的距离，可达到50nm～100nm的量级，来使得OPC结果符合预期。在OPC修正过程中，可能会碰到OPC收敛性较差，导致修正时间过长而影响到光罩制作甚至产品进度。

发明内容

本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质，以提高光学临近效应修正在修正线端回缩时的收敛性，提高修正效率，减少光学临近效应修正的运行时间。

第一方面，本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法，包括：

根据目标图形的设计规则，制作测试图形光罩；

获取光学临近效应修正模型所需的数据，并建立所述光学临近效应修正模型；

获取所述测试图形的线端回缩数据，并建立线端回缩规则表；

根据所述线端回缩规则表，确定初始修正值；

根据所述初始修正值和所述光学临近效应修正模型对所述目标图形进行修正。

可选的，还包括：

循环执行对所述目标图形进行修正的过程，直至所述目标图形的线端回缩达到目标值。

可选的，所述获取光学临近效应修正模型所需的数据，并建立所述光学临近效应修正模型之后，还包括：

验证所述光学临近效应修正模型，并比较所述光学临近效应修正模型得到的线端回缩数据与所述测试图形的线端回缩数据；

若所述光学临近效应修正模型得到的线端回缩数据与所述测试图形的线端回缩数据之差的绝对值小于或等于预设阈值，则判定所述光学临近效应修正模型符合应用条件。

可选的，还包括：

若所述光学临近效应修正模型得到的线端回缩数据与所述测试图形的线端回缩数据之差的绝对值大于预设阈值，则进行基于模型的光学临近效应修正，直至满足所述光学临近效应修正模型得到的线端回缩数据与所述测试图形的线端回缩数据之差的绝对值小于或等于预设阈值。