[发明专利]一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法

说明书

本发明公开了一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法，包括如下：(1)根据靶材用锗单晶方片的宽度尺寸为直径拉制锗单晶晶棒；(2)按靶材用锗单晶方片的长度将所述晶棒截断；(3)采用线切割机纵向切取毛坯片：沿线切割机的进刀方向纵向放置所述晶棒，依次启动线切割机纵向切掉晶棒各侧面宽度达不到要求的部分；再将所述晶棒切片获得毛坯方片；(4)将上述毛坯方片进行平面研磨，获得所述靶材用锗单晶方片所要求的厚度尺寸；(5)对上述方片边缘倒角，使方片达到最终图纸要求的尺寸。本发明既能满足靶材用锗晶片对大尺寸的要求，又可以最大化的利用锗单晶，且加工工艺简单，易于实现批量生产。

技术领域

本发明属于半导体晶体材料加工技术领域，涉及一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法，具体涉及一种长度为320mm以上靶材用方形锗单晶晶片的加工方法。

背景技术

现有靶材用锗晶片是先按方片对角线尺寸为直径拉制锗单晶，采用晶体截断机横向截断单晶，然后用内圆切片机切方并按靶材需求厚度切毛坯片，用平磨机精磨到所需晶片厚度，再用磨边机对晶片边缘倒角，从而得到所需尺寸的锗晶片。现有锗单晶方片加工工艺流程如图1所示。

上述现有工艺在加工过程中存在加工尺寸受限的问题，最大加工尺寸受到最大单晶生长直径和内圆切片机有效切割行程限制，最大能加工对角线长度为320mm以下的方形锗单晶晶片，长度320mm以上的方形锗晶片目前市场上几乎没有见到，无法满足客户锗靶材市场对更大尺寸靶材的需求。

发明内容

针对当前的大尺寸靶材用锗晶片尺寸局限的问题，本发明的目的在于提供一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法，既能满足靶材用锗晶片对大尺寸的要求，又可以最大化的利用锗单晶，且加工工艺简单，易于实现批量生产。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法，所述方法包括如下：

(1)根据靶材用锗单晶方片的宽度尺寸为直径拉制锗单晶晶棒；

(2)按照靶材用锗单晶方片的长度将所述晶棒截断；

(3)采用线切割机纵向切取毛坯片：沿线切割机的进刀方向纵向放置所述晶棒，依次启动线切割机纵向切掉晶棒的各侧面宽度达不到要求的部分；再将所述晶棒切片获得毛坯方片；

(4)将上述毛坯方片进行平面研磨，获得所述靶材用锗单晶方片所要求的厚度尺寸；

(5)对上述方片边缘倒角，使方片达到最终图纸要求的尺寸。

进一步地，所述步骤(1)，晶棒的直径要大于靶材用锗单晶方片的宽度尺寸，晶棒的长度要大于靶材用锗单晶方片的长度尺寸。

进一步地，所述步骤(3)：沿线切割机的进刀方向纵向放置所述晶棒，依次启动线切割机纵向切掉晶棒两侧面超出所述靶材用锗单晶方片的宽度的部分；将晶棒已切平的一侧面粘结在石墨板或树脂板，粘结有晶棒的石墨板或树脂板按晶棒纵向放置的方式固定到线切割机的操作台，启动线切割机纵向切掉晶棒剩余侧面超出所述靶材用锗单晶方片的宽度的部分。

进一步地，所述步骤(3)，线切割机的线速设定为25m/s-35m/s。

更进一步地，所述步骤(3)，按下表所示参数设置线切割机进刀及行程参数：

进一步地，所述步骤(3)：所述毛坯方片的厚度要大于所述靶材用锗单晶方片的厚度。

本发明具有的有益效果如下：