[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成伪栅结构；

在所述伪栅结构的侧壁上形成侧墙层；

以垂直于所述伪栅结构的延伸方向为横向，横向刻蚀所述侧墙层之间的伪栅结构，在所述侧墙层之间形成第一开口；

对所述第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理，用于露出所述侧墙层，形成第二开口；

在所述第二开口中形成分隔层；

形成所述分隔层后，去除所述伪栅结构，在所述侧墙层之间形成栅极开口；

在所述栅极开口中形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口的形成步骤还包括：进行所述横向补偿刻蚀处理后，刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层，在所述侧墙层中形成凹槽。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用SiCoNi刻蚀工艺进行所述横向补偿刻蚀处理。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述横向补偿刻蚀处理的工艺参数包括：刻蚀气体包括NF₃，NF₃的流量为2sccm至500sccm，腔室压强为500mTorr至10000mTorr，源功率为50W至500W。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用SiCoNi刻蚀工艺刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层。

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层的过程中，所述凹槽的横向尺寸为0.5纳米至5纳米。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层的过程中，在所述伪栅结构的延伸方向上，所述凹槽的尺寸为0.5纳米至5纳米。

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层的工艺参数包括：刻蚀气体包括NF₃和NH₃，NF₃的流量为2sccm至500sccm，NH₃的流量为5sccm至500sccm，腔室压强为500mTorr至10000mTorr，源功率为50W至500W。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述分隔层的材料包括SiO、SiCO、SiCN、SiN和SiON中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述分隔层的步骤包括：在所述第二开口中以及所述伪栅结构上形成分隔材料层；去除高于所述第二开口的分隔材料层，剩余的位于所述第二开口中的所述分隔材料层作为分隔层。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二开口中形成分隔层的过程中，所述分隔层还形成在所述凹槽中。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的步骤包括：在所述伪栅结构上形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述伪栅结构，形成横向切断所述伪栅结构的第一开口。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，横向刻蚀所述侧墙层之间的伪栅结构的刻蚀气体包括O₂和Cl₂。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述伪栅结构。