[发明专利]一种光线探测基板及其制备方法、光线探测设备

权利要求书

1.一种光线探测基板，包括基底和设置在所述基底上的多个光线探测单元，所述光线探测单元呈阵列排布；所述光线探测单元包括第一电极、第二电极和光电转换层，所述光电转换层位于所述第一电极和所述第二电极的背离所述基底的一侧，所述光电转换层在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述基底上的正投影之间具有间隔区，其特征在于，所述光电转换层上开设有开口，所述开口在所述基底上的正投影位于所述间隔区。

2.根据权利要求1所述的光线探测基板，其特征在于，所述开口在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影之间的距离大于或等于2μm，所述开口在所述基底上的正投影与所述第二电极在所述基底上的正投影之间的距离大于或等于2μm。

3.根据权利要求2所述的光线探测基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的厚度均小于或等于2000埃。

4.根据权利要求2所述的光线探测基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的厚度均为500埃。

5.根据权利要求3所述的光线探测基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的坡度角范围均为大于0°且小于90°。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的光线探测基板，其特征在于，各所述光线探测单元中，所述第一电极和所述第二电极沿阵列的第一方向依次排布，并构成叉指电极；沿阵列的第二方向排布的相邻两个所述光线探测单元中，上一个所述光线探测单元的所述第一电极与下一个所述光线探测单元的所述第二电极相邻；

所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口位于沿阵列第一方向相邻的两个所述光线探测单元之间；所述第二开口位于沿阵列第二方向相邻的两个所述光线探测单元之间。

7.根据权利要求6所述的光线探测基板，其特征在于，沿阵列的第二方向，所述第一电极在阵列的第二方向上的投影长度小于所述第二电极在阵列的第二方向上的投影长度；沿阵列的第一方向，所述第一电极在阵列的第一方向上的投影宽度小于所述第二电极在阵列的第一方向上的投影宽度；

所述第一开口为条形，所述第一开口的长度方向沿阵列的第二方向；所述第二开口为条形，所述第二开口的长度方向沿阵列的第一方向；

所述第一开口的长度大于或等于所述第一电极在阵列的第二方向上的投影长度，且所述第一开口在阵列的第二方向上的投影完全覆盖所述第一电极在阵列的第二方向上的投影；所述第二开口的长度大于或等于所述第一电极在阵列的第一方向上的投影宽度，且所述第二开口在阵列的第一方向上的投影完全覆盖所述第一电极在阵列的第一方向上的投影。

8.根据权利要求7所述的光线探测基板，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口贯通形成“L”形。

9.根据权利要求1所述的光线探测基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极采用相同材料且同层设置，所述光线探测单元还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述光电转换层与所述第一电极和所述第二电极之间；

所述开口贯穿所述绝缘层。

10.根据权利要求9所述的光线探测基板，其特征在于，所述绝缘层包括无机绝缘层或有机绝缘层，所述无机绝缘层的厚度范围为100～500埃；所述有机绝缘层的厚度范围为1000～2000埃。

11.根据权利要求1所述的光线探测基板，其特征在于，所述光线探测单元还包括电信号输出电路，所述电信号输出电路设置于所述第一电极和所述第二电极的靠近所述基底的一侧，所述电信号输出电路与所述第一电极和所述第二电极之间还设置有平坦化层，所述电信号输出电路通过开设在所述平坦化层中的过孔连接所述第一电极。