[发明专利]用于位串转换的设备和方法在审

专利信息
申请号: 202010176722.8 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN111694762A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: V·S·拉梅什 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C8/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 转换 设备 方法
【说明书】:

本申请是关于用于位串转换的设备和方法。描述与位串转换相关的系统、设备和方法。存储器资源和/或逻辑电路可用于位串转换操作的执行。所述逻辑电路可对如通用数字和/或假定位串的位串执行操作以更改所述位串的精确度水平(例如,动态范围、分辨率等)。举例来说,所述存储器资源可接收包括具有第一位量的位串的数据,所述第一位量对应于第一精确度水平。所述逻辑电路可将所述第一位量更改为对应于第二精确度水平的第二位量。

优先权信息

本申请要求2019年3月13日提交的美国临时申请第62/817,863号的优先权,其内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开大体上涉及半导体存储器和方法,且更确切地说,涉及用于位串转换的设备、系统和方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子系统中的内部、半导体、集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器会需要功率以维持其数据(例如主机数据、误差数据等)并包含随机存取存储器(random access memory;RAM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory;DRAM)、静态随机存取存储器(static random access memory;SRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous dynamicrandom access memory;SDRAM)和晶闸管随机存取存储器(thyristor random accessmemory;TRAM)等等。非易失性存储器可通过在未供电时保存所存储数据来提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器和电阻可变存储器,如相变随机存取存储器(phase change random access memory;PCRAM)、电阻性随机存取存储器(resistiverandom access memory;RRAM)和磁阻随机存取存储器(magnetoresistive random accessmemory;MRAM),如自旋力矩转移随机存取存储器(spin torque transfer random accessmemory;STT RAM)等等。

存储器装置可耦合到主机(例如,主机计算装置)以存储数据、命令和/或指令以在计算机或电子系统处于操作中时供主机使用。举例来说,数据、命令和/或指令可在计算或其它电子系统的操作期间在主机和存储器装置之间传送。

发明内容

在本公开的实施例中,提供一种设备。设备包括:存储器资源,其配置成接收包括具有第一位量的位串的数据,所述第一位量对应于第一精确度水平;和逻辑电路,其耦合到存储器资源,其中逻辑电路配置成将第一位量更改为对应于第二精确度水平的第二位量。

在本公开的实施例中,提供一种设备。设备包括:存储器装置,其包括耦合到存储器资源的逻辑电路,其中存储器装置配置成接收具有第一位量的第一位串,所述第一位量对应于第一精确度水平,其中第一位量包括符号部分、方案部分、指数部分和尾数部分;和控制器,其耦合到逻辑电路和存储器资源,其中控制器配置成使得逻辑电路执行操作以更改第一位串的第一位量以产生具有第二位量的第二位串,所述第二位量对应于第二精确度水平。

在本公开的实施例中,提供一种方法。方法包括:通过耦合到逻辑电路的存储器资源来接收具有第一位量的第一位串,所述第一位量对应于第一精确度水平,其中第一位量包括第一位子集、第二位子集、第三位子集和第四位子集;和通过逻辑电路来执行操作以更改第一位子集、第二位子集、第三位子集和第四位子集中的至少一个的位量以产生第二位串,所述第二位串具有对应于第二精确度水平的第二位量。

附图说明

图1是根据本公开的数个实施例的呈包含逻辑电路和存储器资源的设备形式的功能方块图。

图2A是根据本公开的数个实施例的呈包含含有主机和存储器装置的设备的计算系统形式的功能方块图。

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