[发明专利]含银金属膜用蚀刻液组合物

说明书

本发明提供含银金属膜用蚀刻液组合物，包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水。根据本发明的蚀刻液组合物包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水，对于用作显示设备的反射板或配线的含银(Ag)或银合金金属膜，抑制下部膜受损，并且在形成微细配线时，能够最小化不良偏差及碎屑或析出物的出现，能够表现出优异的蚀刻特性。

技术领域

本发明涉及一种含银金属膜用蚀刻液组合物，更详细地涉及一种蚀刻液组合物，其在蚀刻含银金属膜时，能够抑制下部膜的损伤、碎屑及过度蚀刻的发生。

背景技术

通常，显示面板包括形成有薄膜晶体管作为用于驱动像素的开关元件的显示基板。所述显示基板包括多个金属图案，所述金属图案主要通过光刻(photolithography)方式形成。所述光刻方式是一种如下所述的工艺：在形成于基板上且作为蚀刻对象的金属膜上形成光刻胶膜，对所述光刻胶膜进行曝光及显影，形成光刻图案后，将所述光刻图案用作防蚀刻膜并用蚀刻液蚀刻所述金属膜，从而能够对所述金属膜进行构图。

在用于所述金属膜构图的蚀刻工艺中，因光刻图案暴露的区域被蚀刻液去除，并且暴露经去除的金属膜的下部膜。此时，暴露的所述下部膜可能会与所述蚀刻液接触而损坏。

当作为所述蚀刻对象的金属膜为用作显示设备(display)的反射板或配线的含银(Ag)或银合金金属膜时，为了对此进行蚀刻，主要使用基于磷酸、硝酸和乙酸的湿蚀刻液(参照韩国授权专利第10-0579421号)。

然而，所述湿蚀刻液的粘度会随使用时间的经过而增加，并且其他成分的浓度增加，导致过度蚀刻并且部分配线会发生短路。另外，增加含银或银合金金属膜的蚀刻处理张数，可能会导致蚀刻偏差增加的缺陷。

一方面，为了提高移动设备的分辨率，需形成微细配线，为了通过蚀刻含银(Ag)或银合金金属膜来形成细微图案，具有减少蚀刻工艺时间或减少氧化剂及蚀刻剂的含量的方法。此时，由于蚀刻剂的蚀刻性能的下降，增加了碎屑的产生或溶解的金属的稳定性不足，随着时间的流逝，会在金属膜中产生碎屑或析出物。

因此，需要改善用于含银或银合金膜或配线的蚀刻工艺的蚀刻液。

发明内容

发明要解决的问题

本发明是用于解决如上所述的问题，本发明的一目的在于，提供一种蚀刻液组合物，其在蚀刻含银(Ag)或银合金的金属膜时能够表现出优异的蚀刻特性。

用于解决问题的方法

根据本发明的一方面，提供一种包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水的含银(Ag)或银合金金属膜用蚀刻液组合物。

所述蚀刻液组合物可包含1至20重量份的硝酸、1至40重量份的聚磺酸、1至40重量份的有机酸、及使组合物的整体重量达到100重量份的余量的水。

在所述蚀刻液组合物中，可以以1:0.1至1:3的质量比，更详细地1:0.5至1:2的质量比包含所述聚磺酸及硝酸。

所述聚磺酸可以是包含两个以上磺酸根(sulfonate)作用基团的聚合物。

所述有机酸可包含选自柠檬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、苹果酸、酒石酸、乳酸、丙酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯单羧酸、硝基苯甲酸、羟基苯甲酸、羟基苯、氨基苯甲酸、二乙酸、乳酸、丙酮酸、葡萄糖酸、乙醇酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、亚乙基三腈五乙酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸亚氨基二琥珀酸、聚亚氨基二琥珀酸及它们的盐中的一种以上。

所述蚀刻液组合物可进一步包含防腐剂、表面活性剂或蚀刻稳定剂的添加剂。

所述含银或银合金金属膜可以是单一膜或多层膜。

发明效果