[发明专利]电压的确定方法及装置、存储介质、电子装置

权利要求书

1.一种电压的确定方法，其特征在于，包括：

在以默认电压从存储块中读取目标数据出现异常的情况下，确定所述存储块的状态信息；

基于所述状态信息选择N个电压偏移量，其中，在所述状态信息包括所述存储块的擦写次数和所述存储块的读写温度的情况下，按照所述存储块的擦写次数和所述存储块的读写温度确定所述N个电压偏移量，所述N是大于1的自然数；

利用所述N个电压偏移量对所述默认电压进行调整，得到N个测试电压；

按照所述N个测试电压中的每个测试电压从所述存储块中读取所述目标数据，得到N个读取结果；

基于所述N个读取结果之间的变化量确定读取所述目标数据的目标电压；

在基于所述状态信息选择N个电压偏移量之前，所述方法还包括：确定所述N个电压偏移量，其中，确定所述N个电压偏移量包括：确定所述目标数据所在的存储单元；定义所述存储单元的状态域，其中，定义所述存储单元的状态域包括：在颗粒判定信息状态的规律下，利用状态域管理机制分别将所述存储单元的左1右0定义为Low域，左0右1定义为High域，通过Page Type和选择标志位Switch控制Page类型出现多个状态域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在以默认电压从存储块中读取目标数据出现异常的情况下，确定所述存储块的状态信息包括：

在所述默认电压与所述目标数据在存储单元中的实际电压不一致的情况下，确定读取目标数据出现异常，其中，所述存储单元位于所述存储块中，用于存储所述目标数据；

确定所述存储块的状态信息，其中，所述状态信息包括以下至少之一：所述存储块的擦写次数，所述存储块的读写温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述N个电压偏移量对所述默认电压进行调整，得到N个测试电压，包括：

按照预定计算方式计算所述电压偏移量与所述默认电压之间的电压值，得到所述N个测试电压，其中，所述预定计算方式包括所述默认电压与所述N个电压偏移量之间的正向计算或反向计算。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照所述N个测试电压中的每个测试电压从所述存储块中读取所述目标数据，得到N个读取结果，包括：

确定所述N个测试电压中每个测试电压所在的电压区域；

在所述每个测试电压所在的电压区域中从所述存储块中读取所述目标数据，得到所述N个读取结果。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述N个读取结果之间的变化量确定读取所述目标数据的目标电压，包括：

确定所述N个读取结果中每个读取结果对应的电压区域，得到N个电压区域；

计算出所述N个电压区域中每个电压区域的变化量，得到N个变化量，其中，所述每个电压区域的变化量用于表示所述每个读取结果对应的电压区域在第一预设值和第二预设值之间的变化次数；

确定出所述N个电压区域中相邻电压区域的变化量；

利用所述相邻电压区域的变化量确定出读取所述目标数据的目标电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，利用所述相邻电压区域的变化量确定出读取所述目标数据的目标电压，包括：

在所述N个测试电压发生正向移动的情况下，确定所述相邻电压区域的变化量的变化趋势；

将所述N个变化量中每个变化量与对应的电压区域的步长的平均值，得到N个平均值；

利用所述变化趋势以及所述N个平均值确定出读取所述目标数据的目标电压。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，按照所述N个测试电压中的每个测试电压从所述存储块中读取所述目标数据，得到N个读取结果之后，所述方法还包括：

将所述N个读取结果存储至动态随机存储器DRAM中。