[发明专利]一种高耐压的p沟道LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高耐压的p沟道LDMOS器件，包括半导体衬底（1）、p型轻掺杂漂移区（2）、n型阱区（3）、栅极结构、p型重掺杂源极（6）和p型重掺杂漏极（7）；

n型阱区（3）位于所述半导体衬底（1）的顶层一侧，p型轻掺杂漂移区（2）位于所述半导体衬底（1）的顶层另一侧；p型重掺杂漏极（7）位于p型轻掺杂漂移区（2）的顶层远离n型阱区（3）的一侧，p型重掺杂源极（6）位于n型阱区（3）的顶层远离p型轻掺杂漂移区（2）的一侧；栅极结构位于n型阱区（3）上，且位于p型重掺杂源极（6）和p型轻掺杂漂移区（2）之间；

其特征在于，还包括多个沿栅漏方向延伸的梳指状n型半导体块（8）和多个电极（10），多个n型半导体块（8）位于p型轻掺杂漂移区（2）上，且位于栅极结构和p型重掺杂漏极（7）之间，多个n型半导体块（8）与栅极结构和p型重掺杂漏极（7）间隔设置；多个电极（10）位于多个n型半导体块（8）上靠近栅极结构的一侧，通过多个电极（10）将多个n型半导体块（8）与p型重掺杂源极（6）进行电学连接，使所述多个n型半导体块（8）与p型重掺杂源极（6）相互连通。

2.根据权利要求1所述的一种高耐压的p沟道LDMOS器件，其特征在于，所述多个n型半导体块（8）之间设置绝缘介质（9）。

3.根据权利要求2所述的一种高耐压的p沟道LDMOS器件，其特征在于，所述绝缘介质（9）向所述p型重掺杂漏极（7）方向延伸并填充所述n型半导体块（8）与所述p型重掺杂漏极（7）之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的一种高耐压的p沟道LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括从下而上依次设置的栅氧化层（4）和栅极（5）。

5.根据权利要求1所述的一种高耐压的p沟道LDMOS器件，其特征在于，所述半导体衬底（1）的导电类型为p型或n型。

6.一种高耐压的p沟道LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、采用光刻工艺和离子注入工艺在半导体衬底（1）的顶层一侧形成n型阱区（3），在半导体衬底（1）的顶层另一侧形成p型轻掺杂漂移区（2）；

步骤2、采用氧化和淀积工艺依次形成栅氧化层和多晶硅，然后扩磷掺杂，刻蚀后在n型阱区（3）靠近p型轻掺杂漂移区（2）的一侧上形成栅氧化层（4）和栅极（5）；

步骤3、在n型阱区（3）的另一侧注入硼杂质，横向扩散后形成p型重掺杂源极（6）；

步骤4、在p型轻掺杂漂移区（2）远离n型阱区（3）的一侧中注入硼杂质以形成p型重掺杂漏极（7）；

步骤5、在p型轻掺杂漂移区（2）上方且在栅极与p型重掺杂漏极之间形成n型Si层，在n型Si层上靠近栅极的一侧淀积电极；

步骤6、图形化刻蚀电极和n型Si层至p型轻掺杂漂移区（2）表面，在p型轻掺杂漂移区（2）上方形成多个均匀分布且沿着栅漏方向延伸的梳指状n型Si块和电极（10），通过多个电极（10）将多个n型Si块与p型重掺杂源极（6）进行电学连接，使所述多个n型Si块与p型重掺杂源极（6）相互连通。