[发明专利]宽带可见光偏振不敏感的超光栅元件结构及其应用有效

专利信息
申请号: 202010180206.2 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN111208594B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 万成伟;李仲阳;郑国兴;李子乐;代尘杰;邓联贵;杨睿;时阳阳;万帅 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 艾小倩
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 宽带 可见光 偏振 敏感 光栅 元件 结构 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种宽带可见光偏振不敏感的超光栅元件结构,其特征在于:包括介质基底层;所述介质基底层由下部的银反射层(3)和上部的二氧化硅层(2)构成;

所述二氧化硅层上设有若干个尺寸相同的银几何体(1);所述银几何体(1)在介质基底层上在X方向以800nm,Y方向以200nm为一个周期进行排布;所述银几何体(1)的结构尺寸均为亚波长尺寸;

每个银几何体(1)与其下方的800*200nm2二氧化硅层(2)和银反射层(3)构成单元结构;所述单元结构对宽带的可见光波段响应,对偏振不敏感;所述单元结构在X方向以800nm,Y方向以200nm为一个周期,进行周期性排布组成阵列可实现宽带的色散;

所述银几何体(1)为在Z方向上带有坡度的上宽下窄的棱台结构。

2.根据权利要求1所述的宽带可见光偏振不敏感的超光栅元件结构,其特征在于:以宽带的色散效果作为优化对象得到优化设计的单元结构;所述银几何体(1)的宽边的宽度为W1、宽边的高度为H1、窄边的宽度为W2和窄边的高度为H2;所述二氧化硅层(2)的厚度为d;

所述优化参数为:W1=100nm、H1=30nm、W2=30nm、H2=100nm,d=30nm;

所述单元结构的尺寸为长边800nm,短边为200nm。

3.一种如权利要求1或2所述宽带可见光偏振不敏感的超光栅元件结构在实现可见光波段的高性能色散中的应用。

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