[发明专利]一种GaN纵向逆导结场效应管在审
| 申请号： | 202010180348.9 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111341850A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 周琦;魏鹏程;董志文;马骁勇;熊娓;杨秀;刘熙;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/20;H01L29/47;H01L29/45;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纵向 逆导结 场效应 | ||
1.一种GaN纵向逆导结场效应管，从下至上依次包括层叠设置的漏极金属(8)、漏极N型重掺杂GaN层(1)、N型GaN漂移区(2)和P型掺杂GaN阻挡层(3)；其特征在于，所述P型掺杂GaN阻挡层(3)与N型GaN漂移区(2)构成PNP结构的源极肖特基接触JFET区(10)和源极欧姆接触JFET区(11)，PNP结构的源极肖特基接触JFET区(10)和源极欧姆接触JFET区(11)之间被P型GaN掺杂阻挡层(3)隔开；在所述源极肖特基接触JFET区(10)上表面具有源极肖特基金属(6)，在所述源极欧姆接触JFET区(11)上表面具有N型重掺杂GaN层(4)，N型GaN重掺杂层(4)上表面具有源极欧姆金属(5)，所述P型掺杂GaN阻挡层(3)的上表面具有栅极金属(7)，且栅极金属(7)夹在源极欧姆金属(5)和源极肖特基金属(6)之间。
2.根据权利要求1所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，P型掺杂GaN阻挡层(4)的掺杂浓度为1～5x1017cm-3。
3.根据权利要求2所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，P型掺杂GaN阻挡层(4)的厚度为0.5～2.5μm。
4.根据权利要求3所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，源极欧姆接触JFET区(11)的沟道宽度为0.5～1.5μm。
5.根据权利要求4所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，源极肖特基接触JFET区(10)的沟道宽度为1～3μm。
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