[发明专利]一种半导体装置在审
| 申请号： | 202010181376.2 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113410301A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311100 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：
第一半导体材料，为第一导电类型半导体材料，第一半导体材料上表面设置第二导体材料，第二半导体材料为第二导电类型半导体材料，形成PN结，第二半导体材料表面设置第一导电材料，引出第一电极；
金属半导体材料化合物，包括硅化物，位于第一半导体材料和第二半导体材料表面，金属半导体材料化合物和第一半导体材料表面设置绝缘材料层，绝缘材料层表面设置触发导电材料，引出触发电极；
第一半导体材料表面设置第二导电材料，引出第二电极。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导体材料内上部部分区域设置第一导电类型半导体材料，第二导体材料内上部的第一导电类型半导体材料与第一半导体材料不相连，第二导体材料内上部的第一导电类型半导体材料与金属半导体材料化合物相连。
3.一种半导体装置，其特征在于：包括：
第一半导体材料，为第一导电类型半导体材料，第一半导体材料上表面设置第二导体材料，第二半导体材料为第二导电类型半导体材料，形成PN结，第二导体材料内上部部分区域设置第一导电类型半导体材料，第二导体材料内上部的第一导电类型半导体材料与第一半导体材料不相连，第二半导体材料和第二导体材料内上部的第一导电类型半导体材料表面设置第一导电材料，引出第一电极；
金属半导体材料化合物，包括硅化物，位于第一半导体材料、第二半导体材料和第二导体材料内上部的第一导电类型半导体材料表面，金属半导体材料化合物与第一导电材料不相连，金属半导体材料化合物和第一半导体材料表面设置绝缘材料层，绝缘材料层表面设置触发导电材料，引出触发电极；
第一半导体材料表面设置第二导电材料，引出第二电极。
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