[发明专利]晶片载置装置及其制法有效
申请号: | 202010181643.6 | 申请日: | 2020-03-16 |
公开(公告)号: | CN111725127B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 园田敬典 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 装置 及其 制法 | ||
1.一种晶片载置装置,具备:
圆盘状的陶瓷平板,其上表面具有晶片载置面,且内置有电极;
圆盘状的冷却平板,其配置于所述陶瓷平板的与所述晶片载置面相反侧的下表面;以及
树脂制的粘接片层,其将位于所述陶瓷平板的下表面的粘接面与位于所述冷却平板的上表面的粘接面进行粘接,
所述陶瓷平板的粘接面和所述冷却平板的粘接面中的至少一者,外周部的表面粗糙度Ra比内周部大。
2.根据权利要求1所述的晶片载置装置,所述电极为加热电极,分别内置于所述陶瓷平板中与所述内周部对应的内周区域和所述陶瓷平板中与所述外周部对应的外周区域。
3.根据权利要求1或2所述的晶片载置装置,所述陶瓷平板的粘接面和所述冷却平板的粘接面的半径为135mm以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的晶片载置装置,所述陶瓷平板的粘接面和所述冷却平板的粘接面中的至少一者,所述外周部的表面粗糙度Ra大于1.6μm。
5.一种晶片载置装置的制法,其包括下述工序:
(a)工序,准备内置有电极的圆盘状的陶瓷平板、圆盘状的冷却平板以及粘接片;
(b)工序,使用所述粘接片将所述陶瓷平板与所述冷却平板粘接,
在所述工序(a)中准备的所述陶瓷平板和所述冷却平板中的至少一者具有外周部的表面粗糙度Ra比内周部大的粘接面,
所述工序(b)中,利用外周部的表面粗糙度Ra比内周部大的所述粘接面进行粘接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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