[发明专利]多次可编程存储器的单元结构及其制作方法

权利要求书

1.一种多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，包括：

衬底，

位于所述衬底上的浮栅，位于所述浮栅的侧壁的第一侧墙；以及，

依次位于所述浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于所述浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。

2.根据权利要求1所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，还包括位于所述衬底上的选择栅，所述选择栅的侧壁形成有第二侧墙。

3.根据权利要求2所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述衬底中形成有源区，所述有源区中形成有源掺杂区和漏掺杂区。

4.根据权利要求3所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述浮栅和所述选择栅位于所述源掺杂区和所述漏掺杂区之间。

5.根据权利要求3所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，还包括自对准硅化物层，所述自对准硅化物层覆盖所述选择栅、所述控制栅及所述源掺杂区和所述漏掺杂区。

6.根据权利要求5所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，还包括位于所述自对准硅化物层上并覆盖所述衬底的层间介质层，

位于所述层间介质层内且与所述自对准硅化物层连接的导电插塞，

及位于所述层间介质层上且与所述导电插塞连接的电极结构。

7.根据权利要求1所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述浮栅和所述衬底之间形成有栅氧化层。

8.根据权利要求1所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述SAB薄膜包括在所述浮栅表面依次叠加的氧化层和氮化层。

9.根据权利要求2所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述第一侧墙和所述第二侧墙均具有ONO结构。

10.一种多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成浮栅，在所述浮栅的侧壁形成第一侧墙；以及，

在所述浮栅上依次形成SAB薄膜和控制栅，且所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于所述浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。

11.根据权利要求10所述的多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上形成浮栅的同时，在所述衬底上形成选择栅；在所述浮栅的侧壁形成第一侧墙的同时，在所述选择栅的侧壁形成第二侧墙。

12.根据权利要求10所述的多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成浮栅之前还包括：在所述衬底上形成栅氧化层。

13.根据权利要求10所述的多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，在所述浮栅的侧壁形成第一侧墙之后，在所述衬底上依次形成SAB薄膜层和控制栅层之前，还包括：对所述衬底进行离子注入，形成源掺杂区和漏掺杂区。

14.根据权利要求11所述的多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，所述SAB薄膜包括在所述浮栅表面依次叠加的氧化层、氮化层，所述第一侧墙和所述第二侧墙均具有ONO结构。

15.根据权利要求12所述的多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，在所述浮栅上依次形成SAB薄膜和控制栅包括以下步骤：

在所述衬底上形成SAB薄膜材料层和控制栅材料层；

采用SAB掩模，在所述控制栅材料层上形成图案化的光刻胶层；

依次刻蚀所述控制栅材料层和所述SAB薄膜材料层，以在所述浮栅上依次形成SAB薄膜和所述控制栅。

16.根据权利要求13所述的多次可编程存储器的单元结构的制作方法，其特征在于，在所述浮栅上形成所述SAB薄膜和所述控制栅之后还包括：

在所述衬底上形成自对准硅化物层，所述自对准硅化物层覆盖所述选择栅、所述控制栅及所述源掺杂区和所述漏掺杂区；

在所述衬底上形成层间介质层；

在所述层间介质层内形成暴露出所述选择栅、所述控制栅及所述源掺杂区和所述漏掺杂区的接触孔；

向所述接触孔内壁填充导电材料，形成导电插塞；

在所述层间介质层上形成金属层，并对所述金属层图形化形成电极结构。