[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

堆栈层，包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层，所述堆栈层包括存储阵列区，所述存储阵列区包括纵向贯穿所述存储阵列区的存储串沟道结构和栅极线狭缝；

位于所述堆栈层外围的贯穿阵列区，所述贯穿阵列区包括纵向贯穿所述贯穿阵列区的第一通道触点；

形成于所述堆栈层顶部，并连接所述存储串沟道结构的半导体层，所述半导体层具有一共源极引出点；所述存储串沟道结构包括纵向贯穿所述堆栈层的半导体沟道层，且所述半导体沟道层与所述堆栈层顶部的半导体层直接连接；以及，

形成于所述半导体层上方，并连接所述共源极引出点和所述第一通道触点的共源极导电结构；

所述半导体层还形成于所述贯穿阵列区的顶部，所述共源极导电结构贯穿所述半导体层，并与所述第一通道触点连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述共源极引出点位于所述栅极线狭缝的顶部，以与所述栅极线狭缝构成氢气通道。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述共源极引出点包括N型掺杂区。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极线狭缝中填充有绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储串沟道结构还包括围绕所述半导体沟道层周侧设置的存储介质层。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括形成于所述半导体层上的绝缘层；

所述共源极导电结构形成于所述绝缘层上，且所述共源极导电结构的一端贯穿所述第一通道触点顶部的所述绝缘层和所述半导体层，与所述第一通道触点连接，另一端贯穿所述共源极引出点上的所述绝缘层，与所述共源极引出点连接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括覆盖在所述绝缘层和所述共源极导电结构上的阻挡层。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括键合在所述堆栈层底部和所述贯穿阵列区底部的器件层；

所述器件层与所述堆栈层和所述贯穿阵列区键合，构成电性互连结构。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一通道触点的底部还设有第一键合接口，所述器件层的顶部还设有第二键合接口；

所述第一键合接口与所述第二键合接口连接，使所述器件层、所述第二键合接口、所述第一键合接口、所述第一通道触点和所述共源极导电结构构成连接通路。

10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述贯穿阵列区还包括位于所述第一通道触点背离所述堆栈层的一侧，且纵向贯穿所述贯穿阵列区的第二通道触点；

所述第二通道触点的顶部设有焊盘引出点。

11.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成堆栈层；所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层，所述堆栈层包括存储阵列区，所述存储阵列区包括纵向贯穿所述存储阵列区的存储串沟道结构和栅极线狭缝；

在所述堆栈层的外围形成贯穿阵列区，所述贯穿阵列区包括纵向贯穿所述贯穿阵列区的第一通道触点；

在所述堆栈层的顶部形成连接所述存储串沟道结构的半导体层，所述半导体层具有一共源极引出点；所述存储串沟道结构包括纵向贯穿所述堆栈层的半导体沟道层，且所述半导体沟道层与所述堆栈层顶部的半导体层直接连接；以及，

在所述半导体层的上方形成连接所述共源极引出点和所述第一通道触点的共源极导电结构；所述半导体层还形成于所述贯穿阵列区的顶部，所述共源极导电结构贯穿所述半导体层，并与所述第一通道触点连接。