[发明专利]电容式集成传感器及其加工工艺

说明书

本发明提供了一种电容式集成传感器及其加工工艺，包括MEMS传感器、ASIC芯片以及基板，基板上设有容置腔，MEMS传感器设置在容置腔中，ASIC芯片设置在基板上并与MEMS传感器间隔设置，MEMS传感器通过引线与ASIC芯片电连接。本发明技术方案在基板上开设容置腔，并在基板上异于容置腔的位置设置ASIC芯片，再将MEMS传感器设置在容置腔中，从而实现MEMS传感器以及ASIC芯片安装在同一基板上；并且将用于实现MEMS传感器与ASIC芯片之间数据互通的引线设置在基板内部，从而简化了电容式集成传感器的结构，降低了电容式集成传感器的体积大小。

技术领域

本发明涉及集成传感器技术领域，特别涉及一种电容式集成传感器以及一种电容式集成传感器的加工工艺。

背景技术

传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。随着3D封装技术的发展，使得芯片集成越来越趋于小型化，集成度也越来越高，目前传感器都趋于集成化发展，以降低传感器的体积、重量等。

然而在现有技术中，传感器的集成方式大多是将两个传感器芯片封装在一起，无法真正的将其集成在同一基板上，从而导致体积及成本较高，不具有优势。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种电容式集成传感器及其加工工艺，旨在解决现有技术中传感器无法集成在同一基板上的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出的所述电容式集成传感器包括MEMS传感器、ASIC芯片以及基板，所述基板上设有容置腔，所述MEMS传感器设置在所述容置腔中，所述ASIC芯片设置在所述基板上并与所述MEMS传感器间隔设置，所述MEMS传感器通过引线与所述ASIC芯片电连接。

可选地，所述容置腔上具有开口，所述MEMS传感器具有第一极板和第二极板，所述第一极板设置在与所述开口相对的腔壁上，所述第二极板设置在所述开口处。

可选地，所述电容式集成传感器还包括接线端，所述接线端设置在所述基板上，所述接线端通过引线与所述ASIC芯片电连接。

可选地，所述电容式集成传感器还包括外壳，所述外壳罩设于所述基板外。

可选地，所述引线均设置在所述基板内部。

此外，为解决上述问题，本发明还提出一种电容式集成传感器的加工工艺，所述加工工艺用于制作如上述的电容式集成传感器，所述加工工艺包括以下步骤：

在基板上开设容置腔；

将MEMS传感器安装在所述容置腔中；

将ASIC芯片安装在所述基板上，且与所述容置腔间隔设置；

通过引线将所述MEMS传感器与所述ASIC芯片电连接。

可选地，所述将MEMS传感器安装在所述容置腔中的步骤包括：

在所述容置腔上设置开口；

在所述容置腔内与所述开口相对的腔壁上电镀金属以形成第一极板；

在所述基板上设置膜片，所述膜片覆盖所述开口；

在膜片上朝向所述第一极板的一侧电镀金属以形成第二极板。

可选地，所述将MEMS传感器安装在所述容置腔中的步骤包括：

在所述容置腔上设置开口；

在所述容置腔内与所述开口相对的腔壁上沉积导电离子以形成第一极板；

向所述容置腔中设置填充绝缘材料直至将所述容置腔填满；

在所述绝缘材料的表面沉积导电离子以形成第二极板；