[发明专利]电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶制备方法

权利要求书

1.一种基于电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶的制备方法，所述方法包括以下步骤：

第一步骤(S100)中，打磨基材平整后，将基材放置于电子束增材制造装置的加工仓中且抽真空，

第二步骤(S200)中，电压55-70kV及束流2-6mA的电子束对基材的预加工区域预热15s，

第三步骤(S300)中，将高熵或中熵合金材料通过增材的方式制备于基材之上以制成高熵或中熵合金试样，然后泄真空，取出高熵或中熵合金试样，其中，电子束电压55-70kV，束流5-15mA，移动速度为500-1000mm/min，

第四步骤(S400)中，表征高熵或中熵合金试样微观结构，调整工艺参数直至制备出微柱状晶，

第五步骤(S500)中，使用调整后的工艺参数生产高熵或中熵合金微柱状晶。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，优选的，高熵合金具有大于1.5R的构型熵，中熵合金的构型熵在1R至1.5R之间，R为理想气体常数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一步骤(S100)中，基材包括不锈钢或同种高熵或中熵合金。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一步骤(S100)中，基材为棒材或板材。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，第三步骤(S300)中，高熵或中熵合金材料通过送丝或送粉的方式制备于基材之上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，第四步骤(S400)中，光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或电子束背散射衍射表征高熵或中熵合金试样微观结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，第四步骤(S400)中，调整工艺参数包括，当试样产生裂纹时，增大基材预热时间；当试样块未产生微柱状晶时，减小基材预热时间，直至制备出微柱状晶。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，高熵或中熵合金包括CoCrNi。