[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板有效
申请号: | 202010184870.4 | 申请日: | 2020-03-17 |
公开(公告)号: | CN111240115B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 杨珊珊;魏明贺 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:
衬底(10);
位于所述衬底(10)上的第一金属层;所述第一金属层包括栅极(111)和与所述栅极(111)连接的扫描线(11);
覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层(12);
位于所述栅极绝缘层(12)上的有源层(13);
位于所述栅极绝缘层(12)上的第二金属层;所述第二金属层包括源极(141)和漏极(142),所述源极(141)和所述漏极(142)分别与所述有源层(13)接触;
覆盖所述第二金属层的第一绝缘层(151);
位于所述第一绝缘层(151)上的公共电极层(16);所述公共电极层(16)设有对应于所述源极(141)和所述漏极(142)设置的通孔(161),所述通孔(161)暴露出覆盖在所述源极(141)和所述漏极(142)上方的所述第一绝缘层(151);
覆盖所述公共电极层(16)和所述第一绝缘层(151)的第二绝缘层(152);
位于所述第二绝缘层(152)上的像素电极层(17);所述像素电极层(17)通过第一接触孔(171)与所述源极(141)电性连接,所述第一接触孔(171)贯穿所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151);
覆盖所述像素电极层(17)和所述第二绝缘层(152)的第三绝缘层(153);
位于所述第三绝缘层(153)上的第三金属层;所述第三金属层包括数据线(18),所述数据线(18)通过第二接触孔(181)与所述漏极(142)电性连接,所述第二接触孔(181)贯穿所述第三绝缘层(153)、所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151),所述数据线(18)在所述衬底(10)上的投影覆盖所述第一接触孔(171)、所述源极(141)、所述漏极(142)以及位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道,所述第一接触孔(171)和所述第二接触孔(181)在所述数据线(18)的延伸方向上依次设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述源极(141)和所述漏极(142)在所述数据线(18)的延伸方向上依次设置,位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道呈垂直于所述数据线(18)的直线型。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述数据线(18)设有多个拓宽部(183)和多个连接部(182),所述多个拓宽部(183)和所述多个连接部(182)在所述数据线(18)的延伸方向上间隔设置;所述拓宽部(183)在所述衬底(10)上的投影覆盖所述源极(141)、所述漏极(142)、位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道、所述第一接触孔(171)以及所述第二接触孔(181)。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述公共电极层(16)呈面状覆盖在所述第一绝缘层(151)上除所述通孔(161)之外的区域。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述像素电极层(17)包括多个像素电极(170),每个所述像素电极(170)包括外围框(172)和连接在所述外围框(172)内的多个梳条(173),所述梳条(173)包括垂直于所述数据线(18)延伸的直线部(17a)和分别位于所述直线部(17a)两侧的两个折线部(17b),所述直线部(17a)和所述数据线(18)的近端距离(L3)小于5μm。
6.一种液晶显示面板,包括彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板以及位于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板为权利要求1~5任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
7.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:
在衬底(10)上沉积第一金属薄膜,对所述第一金属薄膜进行图案化制作形成第一金属层,所述第一金属层包括栅极(111)和与所述栅极(111)连接的扫描线(11);
在所述衬底(10)上沉积覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层(12);
在所述栅极绝缘层(12)上沉积有源层薄膜,对所述有源层薄膜进行图案化制作形成有源层(13);
在所述栅极绝缘层(12)上沉积第二金属薄膜,对所述第二金属薄膜进行图案化制作形成第二金属层,所述第二金属层包括源极(141)和漏极(142),所述源极(141)和所述漏极(142)分别与所述有源层(13)接触;
在所述栅极绝缘层(12)上沉积覆盖所述第二金属层的第一绝缘层(151);
在所述第一绝缘层(151)上沉积第一透明导电薄膜,对所述第一透明导电薄膜进行图案化制作形成公共电极层(16),所述公共电极层(16)设有对应于所述源极(141)和所述漏极(142)设置的通孔(161),所述通孔(161)暴露出覆盖在所述源极(141)和所述漏极(142)上方的所述第一绝缘层(151);
在所述公共电极层(16)上沉积覆盖所述公共电极层(16)和所述第一绝缘层(151)的第二绝缘层(152);
对所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)进行图案化形成贯穿所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)的第一接触孔(171),所述第一接触孔(171)的底部暴露出所述源极(141)的部分表面;
在所述第二绝缘层(152)上沉积第二透明导电薄膜,对所述第二透明导电薄膜进行图案化形成像素电极层(17),所述像素电极层(17)填入所述第一接触孔(171)与所述源极(141)电性连接;
在所述第二绝缘层(152)上沉积覆盖所述像素电极层(17)的第三绝缘层(153);
对所述第三绝缘层(153)、所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)进行图案化形成贯穿所述第三绝缘层(153)、所述第二绝缘层(152)和所述第一绝缘层(151)的第二接触孔(181),所述第二接触孔(181)的底部暴露出所述漏极(142)的部分表面,所述第一接触孔(171)和所述第二接触孔(181)在数据线(18)的延伸方向上依次设置;
在所述第三绝缘层(153)上沉积第三金属薄膜,对所述第三金属薄膜进行图案化制作形成第三金属层,所述第三金属层包括数据线(18),所述数据线(18) 在所述衬底(10)上的投影覆盖所述第一接触孔(171)、所述源极(141)、所述漏极(142)以及位于所述源极(141)和所述漏极(142)之间的沟道,所述数据线(18)填入所述第二接触孔(181)与所述漏极(142)电性连接。
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